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반도체 공정 및 미소가공 기술을 이용하여 미소 기계 부품, 센서, 액추에이터, 및 전자 부품을 반도체 웨이퍼 기판 위에 제작 및 실장하여, 하나의 칩에 전자-기계 시스템을 만드는 기술
응용분야 : 센서분야, 에어백, 캡슐 내시경, 프린팅 헤드
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웨이퍼 선별처럼 전기적 시험을 받는다.
조립공정
SAWING
TAPE에 접착된 WAFER를 고속으로 회전하는 DIABOND BLADE를 이용하여, 개별의 반도체 CHIP으로 절단시키는 공정
ILB(Inner Lead Bonding)
SAWING한 WAFER의 각각의 CHIP들의 AU BUMP의 INNER LEAD를 ILB TOOL로 온
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성장공정
연마공정
Epitaxial 공정
노광공정
박막형성공정
현상액도포공정
노광공정
에칭공정
Resist 제거공정
확산공정
배선공정
세정공정
웨이퍼절단공정
Bonding공정
패키징공정
테스트공정
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반도체 관련기술은 고속도와 집적도를 위하여 끝임없는 기술의 진보가 있을 것이고 이와 더불어 소형화 및 코스트다운을 위한 노력도 계속될 것이다. 이러한 기술변화의 동향으로 300㎜웨이퍼공정기술의 개발, 고속동작을 위한 구리배선기술
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Wafer 단결정 성장(CZ법)
7. 마스크 개요
8. 산화막
9. RTP(Rapid Thermal Process)
10. CVD(Chemical Vapor Deposition)
11. ALD(Atomic Layer Deposition)
12. Spin Coating(Spin-On Glass)
13. Photo-Etch 공정(Pattering)
14. Photolithography 공정(PR 도포)
15. 노광공정
16. 광
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1. 단결정 성장 과정
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장시키는 과정 1. 단결정 성장 과정
2. 규소 봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화 공정
7.
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photo) CVD라고 한다.
1. 화학기상증착(CVD) 공정
■ Metallization
- 실리콘 웨이퍼 기판 위에 모든 소자 제작이 완료된 후에 이들을 상호 연결하여 회로 기능
을 갖도록 하는 기술을 금속화라 한다.
■ 마무리 공정 및 테스트
○합금 및 어닐링
- 웨이
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공정을 피할 수 있는 dual damascene(매입 공정, 상감공정 : 절연층에 구멍을 제작한 후 도체인 배선 물질을 나중에 매입하는 방식의 공정)에 의한 배선 공정이 개발되어 구리의 본격적인 반도체 배선물질로의 사용이 가능하여 졌다. 이 공정은 금
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두께 측정
● 측정방식에 따른 분류
● 측정의 어려움
2. 반도체 공정중 Oxidation 사용분야
● Oxidation(산화막 성장)
● 실리콘 산화막의 용도
● 반도체 공정
● 열 산화의 장점
● 건식산화의 장점과 단점
● 습식산화의 장점과 단점
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연마한 실리콘 웨이퍼가 된다.
집적회로는 이 실리콘 웨이퍼 표면에 만들어진다. 1. 반도체 웨이퍼와 칩
2. 반도체 공정 흐름도
3. 흐름도별 설명
(1단계:실리콘 형성부터 19단계:최종 검사까지)
4. 동영상(링크 자료)
5. 참고자료 설명
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