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1. 단결정 성장 과정
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장시키는 과정 1. 단결정 성장 과정
2. 규소 봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화 공정
7.
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공정시 스테퍼 (반도체제작용 카메라) 의 사진 건판으로 사용된다.
○ 리드프레임 (lead frame)
보통 구리로 만들어진 구조물로서, 조립공정시 칩이 이 위에 놓여지게 되며 가는 금 선(金線)으로 칩과 연결된다. 이렇게하여 IC칩이 외부
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공정시 스테퍼 (반도체제작용 카메라) 의 사진 건판으로 사용된다.
○ 리드프레임 (lead frame)
보통 구리로 만들어진 구조물로서, 조립공정시 칩이 이 위에 놓여지게 되며 가는 금 선(金線)으로 칩과 연결된다. 이렇게하여 IC칩이 외부
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처음으로 사용
1969년 처음으로 실리콘 게이트 MOS IC사용
1970년 처음으로 MOS를 사용한 계산기 chip이 발표
1977년 고성능 5V MOS 기술이 발표 반도체 제조 공정의 역사
현재 반도체 제조공정 수준
반도체 제작 공정
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공정을 피할 수 있는 dual damascene(매입 공정, 상감공정 : 절연층에 구멍을 제작한 후 도체인 배선 물질을 나중에 매입하는 방식의 공정)에 의한 배선 공정이 개발되어 구리의 본격적인 반도체 배선물질로의 사용이 가능하여 졌다. 이 공정은 금
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