|
1. 단결정 성장 과정
고순도로 정제된 실리콘 용융액에 SEED 결정을 접촉, 회전시키면서 단결정 규소봉(INGOT)을 성장시키는 과정 1. 단결정 성장 과정
2. 규소 봉 절단
3. 웨이퍼 표면 연마
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화 공정
7.
|
- 페이지 21페이지
- 가격 3,000원
- 등록일 2011.08.04
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
처음으로 사용
1969년 처음으로 실리콘 게이트 MOS IC사용
1970년 처음으로 MOS를 사용한 계산기 chip이 발표
1977년 고성능 5V MOS 기술이 발표 반도체 제조 공정의 역사
현재 반도체 제조공정 수준
반도체 제작 공정
|
- 페이지 18페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2007.06.01
- 파일종류 피피티(ppt)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
공정을 피할 수 있는 dual damascene(매입 공정, 상감공정 : 절연층에 구멍을 제작한 후 도체인 배선 물질을 나중에 매입하는 방식의 공정)에 의한 배선 공정이 개발되어 구리의 본격적인 반도체 배선물질로의 사용이 가능하여 졌다. 이 공정은 금
|
- 페이지 9페이지
- 가격 1,300원
- 등록일 2005.11.13
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
제작되며, 후에 보호막을 입히는 과정만이 들어간다.
PCS
PCS란 Power Conditioning System의 약자.
PCS는 태양전지 어레이에서 발생되는 최대 출력을 유지하기 위한 MPPT (Maximum Power Point Tracker) 회로 및 축전지 또는 DC 전원과의 출력 값을 보정하기 위한
|
- 페이지 7페이지
- 가격 1,000원
- 등록일 2008.11.07
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
공정 및
산업용
비가연성
가스센서
산소 센서
이온화금속의 농도변화 또는 생성이온의 확산
~10ppm
~5%
내연기관,
의료용
CO 센서
이온농도 변화
~50ppm
~5%
의료용,
공해측정
각종 반도체식 가스센서의 발전은 현재 응용되고 있는 사용처에
|
- 페이지 11페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2010.01.22
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|