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표면 연마
4. 회로설계
5. 마스크 제작
6. 산화 공정
7. 감광액 도포
8. 노광
9. 현상
10. 식각공정
11. 이온주입
12. 화학 기상 증착
13. 금속배선
14. 웨이퍼 자동선별
15. 웨이퍼 절단
16. 웨이퍼 표면 연마
17. 금속 연결
18. 성형
19. 최
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웨이퍼 내부로 확산시켜 주 입하는 DIFFUSION(확산) 공정에 의해서도 이루어짐.
▣ 제12단계 : 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition)
GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착(蒸着)하여 절연막이나 전도성막을 형성시킨다. 일종
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공정에 쓰이는 wafer 1장이 약 천만 원에 가까운 가격이어서 의심이 가는 장비를 생산라인에 넣는다는 것은 기업 차원에서 봤을 때 엄청난 모험인 것이다. 현재 국산 장비들은 R&D (Research & Development) 라인에서 그 성능을 검증 받고 있다. 이렇듯
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공정 중 불순물 재분포
편석계수(m) = 실리콘 속의 불순물 평형 농도 ÷ 산화물속의 평형 농도
1.2.5 산화막의 성질
두께, 밀도, 두께, 다공성, 굴절률, 식각률, 파괴전장
1.2.6 산화막의 응용
① 확산, 이온법에 대한 마스크.
② 실리콘 표면, 특히 P
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표면반응 제한영역의 기울기가 활성화 에너지(EA)와 관계가 있음을 알 수 있다. 이러한 형태의 그래프를 Arrhenius plot이라고 부른다.
6) 반도체 소자의 집적
실리콘 웨이퍼로부터 시작하여 앞서 설명한 박막형성, 사진공정, 식각공정 및 dopant공정
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