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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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3조
제출일 : 2016. 5. 23 1. 반도체공정실습실에서 사용한 실험실습 기자재 정보와 각각의 사용법(간략하게)
2. 특수가공 수업에서의 실습내용 및 역할 계획
3. 실험(실습)일지
4. 실험(실습) 결과물(실습과정을 확인할 수 있는 자료 및 사진)
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소재공정실험
1. WPU, VOC, WPUD
2. FTIR, UTM
3. 고분자 섬유 방사 방법(원심 반사 스핀, 전기 반사 스핀, 습식 반사)
4. UTM 결과레포트
5. Photoresist
6. 반도체 시청 소감(아무거나)
7 ~ 14 다니엘 실험
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실험한 Au의 XRD데이터가 JCPDS와 비교해보면, 약간의 오차가 있었다. 그 이유로 코팅시에 Au에 약간의 백금이 첨가가되었기 때문이다.
Ⅳ. 참고문헌
1. Richard C. Jaeger, 반도체공정개론, 교보문고, 2004년, 163-175
2. 이형직외 2명, 박막프로세스의 기초
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반도체 공학(형설출판사, 2003), p 76~82
한국공업화학회 편, 무기공업화학,(청문각), p215~225
http://www.semipark.co.kr/images/
http://home.megapass.co.kr/~snareeyes/frame_1.htm
http://www.kdns.co.kr/
http://www.lgphilips-lcd.com:8888/Korean/tech/d2_1.html 실험제목
실험목적
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공정도실험테이터제조기술연구자료 등의 기술적 측면과 거래처명부, 판매기, 고객명부, 사무실 관리 방법 등의 경영적 측면이 있다.
마. 데이터베이스권
데이터베이스권은 저자권법 6조1항의 편집물의 하나로, 컴퓨터에 의한 검색이 가능하
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실험을 행하였다
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홀소자는 반도체의 다수캐리어의 이동도를 측정할때 많이 사용합니다.
이것은 움직이는 전하는 자기장으로 부터 힘을 받는 다는 원리를 이용한 겁니다.
일정한 크기의 반도체(반도체말고는 특별히
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반도체분야에서는 반도체의 물성연구에 이용되나, 센서분야에서는 홀전압을 측정함으로써 자기장을 측정하는 방법으로 사용된다. 홀센서는 소형 다량 생산이 가능하고 증폭기 등 전자회로를 동시에 반도체공정으로 생산 가능 하고 저가의
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반도체를 만들기 좋은 환경은 진공이지만 현실적으로 진공에서 실험하기에는 무리가 있다. 그러나 그것을 위한 노력은 할 수 있다. 화학가스의 유입과 공정실에서 웨이퍼로의 접근에 대한 반응을 조절해야하고, 부적합한 습기와 공기, 생산
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실험을 통해서 나노입자의 측정을 배웠고, AFM의 용도와 사용방법에 대해 들었다. 산화공정을 통해 반도체의 기본과정과, 실리콘의 용도에 대해서 좀 더 자세히 알 수 있었다. MOS에 대한 뜻도 알게 되었다. 앞으로 유용하게 사용 될 반도체소자
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