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[반도체공정실험]Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry etching, Metal Deposition, Annealing(Silcidation)
목차
I.Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 토의 사항
II.Photolithography
1. 실험 목적
2. 실험 이론 및 원리
3. 실험 방법
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반도체 공정에서 산화실험이 필요한 이유
2. 반도체 공정에서 Si 기반 어느부분에서 산화를 쓰는가??
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공정에서는 매우 중요한 단위공정이다.
그 이유는 화학증착이 높은 반응온도와 복잡한 반응경로 그리고 대부분의 사용기체가 매우 위험한 물질이라는 단점에도 불구하고 고유한 장점들을 가지고 있기 때문이다. 화학증착법의 장점으로
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너
지원으로 열 에너지가 많이 사용되는데 이런 경우를 열(thermal) CVD라고 한다. 또한 열
에너지 이외에 플라즈마나 빛 에너지도 사용되며, 이런 경우는 플라즈마(plasma) CVD 또
는 광(photo) CVD라고 한다.
1. 화학기상증착(CVD) 공정
■ Metallization
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가 두꺼운 것이 요구되면 상당히 긴 시간이 소요된다.
※ Reference
- Introduction to solid state physics,7th edition (Charles Kittle)
- http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/data/ch101.ppt
- http://home.mokwon.ac.kr/
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