|
회로를 구성한다.
5. 참고자료
1. 회로이론, 한경희외 공저, 형설출판사, 1991.2
2. 전기전자기초실험, 신정록외 공저, 한올출판사 1996.8
3. 전기회로, 최윤식외 공저, 의중당, 1996.2
4. 디지털전자회로, 김기남 저, 네트웍텔레콤 정보기술원, 1998.2
5.
|
|
|
회로이론, 문운당, 2009
◈ 박용택, 전기회로에 사용되는 브리지란?, 전자과학사, 1961
◈ 박준열, 브리지 인버어터 회로의 해석, 대한전자공학회, 1978
◈ 이토오 야스시 저, 전자회로 연구회 역디지털회로, 대광서림, 2012
◈ 최윤식, 기초 회로이
|
|
|
회로를 설계하였다. 2진수방식으로 표현된 디지털 회로의 출력을 10진수 방식인 7-segment LED로 바꿔주기 위해서 Decoder를 사용하였고, 7-segment / Decoder에 대한 진리표를 카르노 맵을 이용하여 불리언 식으로 표현해 보았다.
이번 실험은 비교적 간
|
|
|
n
Cn-1
Sn
Cn
7. 7448을 이용하여 2진수를 10진수로 표시하는 회로를 구성하시오.
8. 본과를 실험하면서 나름대로 배운점을 쓰시오.
재밌는 실험이었다. 학술제 준비를 하는 과정에서 필요한 부분이었다. 많은 도움이 되어 기분이 좋았다. 특히 7-세
|
|
|
회로 테스트벤치(simvision)
module TestBanch_Vending_Machine();
reg t_Clock, t_Cancel,t_Selectbit;
reg [1:0]t_In;
wire t_Change, t_Control;
wire [1:0]t_Out;
Vending_Machine M0 (t_Clock, t_Cancel,t_Selectbit,t_In, t_Change, t_Control, t_Out);
initial
begin
$shm_open("TestBanch_Vending_Machine.db");
$
|
|
|
회로는 3개의 XOR 게이트를 연결하여 구성하였다.
입력이 모두 5V일 때, 출력은 0V를 나타냈고, 그 외에 입력이 모두 0V일 때, 0V와 5V가 같이 입력되는 모든 경우 출력은 5V를 나타냈다.
결과값
이론값
검토에서 알 수 있듯이 이론으로 배운 각 각
|
|
|
회로나 소자를 보호하기 위해 증착된다. 증착을 위한 사용방법에서 요구되는 박막은 다음에 재검토 된다.
이베포레이션
이베포레이션은 박막증착의 오래되고 좀 더 직접적인 방법 중의 하나이다. 증발된 물질은 진공챔버안에서 저항가열 소
|
|
|
회로를 말합니다. 플립플롭에 전류가 부가되면, 현재의 반대 상태로 변하며 (0 에서 1 로, 또는 1 에서 0 으로), 그 상태를 계속 유지하므로 한 비트의 정보를 저장할 수 있는 능력을 가지고 있습니다. 여러 개의 트랜지스터로 만들어지며, SRAM이
|
|
|
uck 컨버터와 기본적인 소자들을 맞추었다. 즉, MOSFET의 Gate 부분에 Vpulse를 달아서 회로를 구성했고, 다이오드는 D1N4002, MOSFET은 IRF150으로 설계했다. 출력전압을 12~16V로 맞추기 위해 소자값을 맞추고, Vpulse에 7V를 인가해 준 결과 15V를 얻어낼 수
|
|
|
되도록 회로를 C1 값을 설계하시오
.
C1을 33nF으로 설계하였다. 그 출력의 중심주파수는 2.083kHz를 얻을 수 있었다.
(6) 슈미츠 회로의 저항비 (RS1/RS2)와 Capacitor, C1의 값을 변화시키면서 출력파형을 관찰하시오.
Vc=0.5V, Rs1/Rs2=5kΩ/10kΩ, C1=10nF
Vc=0.5V,
|
|
메뉴펼치기
