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TTL 게이트 군에서 사용된다. 토템-폴 출력TTL 에서의 Q2의 이미터 저항이 schottky TTL에서는 트랜지스터 Q6와 2개의 저항으로 구성된 회로로 대신 되었다. 이 회로는 앞에서 논의되었던 차단전류의 스파이크를 감소시키기 위한 것이다. 전파시간을
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음여유도가 크다.
- 소자의 크기가 적어 실장밀도가 높다.
- 공급전압의 폭이 넓다.
(2) CMOS게이트가 TTL게이트를 구동시킬때 noise margin은 얼마인가?
PARAMETER
74HC CMOS
74 TTL
74LS TTL
74S TTL
74AS TTL
V ih(min)
3.5v
2v
2v
2v
2v
V il(max)
1v
0.8v
0.8v
0.8v
0.8v
V oh(min)
4
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pin 1
V pin 2
Input Voltage
Output Voltage
0
2.5
+5
표 3-4-2 (74HC04)
V pin 1
V pin 2
Input Voltage
Output Voltage
0
2.5
+5 실험 3.
CMOS 와 TTL NAND/NOR 게이트 정의와 동작
1. 목적
2. 기본 이론
3. 실험 기기 및 부품
4. 실험 과정
5. 실험 고찰
6. 필요한 결과
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TTL에서 사용하는 바이폴라 트랜지스터에는 베이스 전류에 의하여 동작하는 전류구동형 소자이므로 이것의 입력전류가 그 앞단 회로의 출력전류와 밀접하게 관련이 되고 따라서 팬아웃이 문제가 되지만, CMOS에서 사용하는 MOSFET는 게이트 전
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이때 합을 S, 자리올림수를 C로 한다면 4가지 상태 중 1+1=10인 상태에서 자리올림수가 발생된다.(S=0,C=1). 이와 같은 과정을 수행하는 장치를 반가산기라고 하고 진리표는 다음과 같이 된다
표 4.1에서 합(S)와 자리올림수(C)의 논리식을 구하면 다
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TTL에 의해 가리키게 된다. Undervoltage lockout은 또한 모든 출력되었던 운전자들(LA, LA, LC, HA, HB, HC)을 끈다. 이 장치는 150 mV의 hystresis를 가진다
<그림 4-5> Cross Conduction, Brake, and UVLO Circuits
4.7 실험결과
ML4425 PWM 센서리스 구동 브러시리스 직류
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