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OXIDATION(산화공정) 프린트
* 신소재기초실험 Ⅰ(Text Book) , 국민대학교 공과대학 신소 재공학부, P. 21~ P. 33 제목 : 산화 공정 (Oxidation)
목적
이론 : 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
- Furnace system
-실험방법
-실험결
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공정기술』,2006 1. 실험목적
2. 이론배경
- 산화막(Oxide Film)
- 산화막의 용도(Uses of Oxide Film)
●확산공정
●표면 안정화
●소자보호와 격리
●게이트 산화물 유전체
-딜-그로브의 열 산화 모델(Deal-Grove model)
3. 실험방법
4. 실험결
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산화공정
▶ 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다
▶산화공정은 습식산화와 건식산화가 있
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공정을 통해 제거한다. 해당 공정을 그림으로 나타내면 다음과 같다.
5. 고도산화공정의 종류를 말하고 펜톤 산화에 대해 설명하라.10)
‘고도산화공정(Advanced Oxidation Processes, AOP)’란 수산화라디칼 등의 자유라디칼을 이용해 산화반응을 진행
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150PPM에서 15PPM으로 90% 이상 제거 효율을 보인다.
그림.2 실증 시설물 전경(구미1공장) 1. 고도산화공정의 특징
2. 오존의 특징 및 발생원리
3. 오존 / 과산화수소 (Peroxone AOP) 원리 및 처리효과
4. 오존 / 과산화수소 (Peroxone AOP) 적용사례
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