소자 Streetman

검색어 자동완성 닫기

고급 검색 X

고급 검색 열기

전문지식 6건

	반도체 전공 면접 예상 질문 . n-type Semiconductor에서 온도에 따른 Carrier 농도 변화 매우 낮은 온도에서는 intrinsic EHP가 거의 존재하지 않는다. 온도가 증가함에 따라 도너의 전자들이 Conduct band로 옮겨지고 약 100K에서 모든 도너 원자가 이온화되는 과정이 발생한다. 이후 ni 반도체 공정, 소자 Streetman, 반도체 전공 면접 예상 질문,	페이지 11페이지 가격 2,000원 등록일 2009.09.20 파일종류 워드(doc) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음
	[전자재료실험] MOS Capacitor 소자공학 - betty lise anderson외, 서정하 외 역 3) Solid State Electronic Devices - Ben Streetman, Sanjay Banerjee 4) 전자기학 - popovic zoya, 박동철 외 역 5) 한국진공학회지 제 10권 제 1호, 2001년 6) 엔지니어를 위한 기초전자공학 -明正水 7) Journal of the Korean Physical S 전자재료실험, MOS Capacitor, MOS, 전자재료실험 MOS Capacitor, [전자재료실험] MOS Capacitor,	페이지 19페이지 가격 2,800원 등록일 2012.05.17 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음
	MOSFET 원리와 CV curve 와 IV curve , 2003 Solid State Electronic Device, Prentice Hall, Inc, Ben G. Streetman And Sanjay Banerjee, 2000 - http://elecpia.cntc.ac.kr/semi/index.htm - http://heonlee.korea.ac.kr/patent.php 1. MOSFET의 기본 원리 2. MOSFET의 Parameter 및 동작원리 3. C-V curve 4. I-v curve 5. REFERENCE MOSFET CV Curve, 모스펫 IV CURVE, MOSFET 원리와 CV curve 와 IV curve,	페이지 6페이지 가격 3,000원 등록일 2007.02.20 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음
	반도체 용어정리 활성종을 에칭재료 표면의 원자와 반응시켜 휘발성의 반응생성물을 생성시키고, 이것을 재료 표면에서 이탈시켜 에칭하는 기술이다. 이 기술은 반도체 소자 초미세 가공과정의 기본기술로 확립되어 있다. RIE 기술은 보통 크리닝, 디스컴등에 SIMO 에칭, 증착법 RIE, 반도체 용어정리,	페이지 5페이지 가격 700원 등록일 2007.10.24 파일종류 한글(hwp) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음
	위성통신 지상국용 12 GHz Microstrip Band-Pass Filter 2차 대전을 지나고 오늘날 정보화 시대에 이르러 정보통신과 같은 여러 분야의 발전과 더불어 마이크로파 소자들 또한 급격한 발전을 이루게 되었다. 최근에는 마이크로파용 반도체 소자 및 집적회로(MIC), 모놀리식 마이크로파 집적회로(MMIC) 전자공학, 위성통신, Microstrip Band-Pass Filter, 전자공학 위성통신, 위성통신 지상국용 12 GHz Microstrip Band-Pass Filter,	페이지 21페이지 가격 3,000원 등록일 2010.05.28 파일종류 워드(doc) 참고문헌 있음 최근 2주 판매 이력 없음

전문지식 전체보기