|
첨가.
N형 불순물을 첨가하면 자유전자의 수가 증가.
Donor 불순물로는 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P)등. 1. P-Type 반도체
2. N-Type 반도체
3. P-N 접합
4. 전위장벽(내부장벽)
5. Bias
1) 순방향 바이어스
2) 역방향 바이어스
3) 평행상태
|
|
|
1) 다이오드 테스트
2) 순방향 바이어스 다이오드 특성
a.직류전원 공급기를 0V에 맞추고 그림 2-4의 회로를 구성하라. 저항기의 측정된 저한 값을 기록하라.
Rmeas = 0.991kΩ V_R 이 0.1V가 될 때까지 전압 공급기의 전압을 증가시켜라. 그때 V_D를
|
|
|
바이어스
p, n 영역의 전위차를 전위장벽이라고 하고 다이오드에 인가되는 전압을 바이어
스라고 한다.
5. 순방향 바이어스
p형 반도체에 높은 전압을 가해줄 때를 말하며 전압이 전위장벽을 없애서 전류가
흐르고 결핍층이 좁아진다.6. 역
|
|
|
원의 처음 반주기 동안은 다이오드가 순방향으로 바이어스가 되므로 다이오드가 도통되어 회로에 전류가 공급된다. 따라서 2차측 전원이 그대로(이상적인 다이오드에서의 전압 강하는 0V이다.) 저항에 나타난다. 변압비가 1:1이므로 입력측과
|
|
|
.
- 역방향 전압 Vr을 크게하면 항복 현상(breakdown)이 일어나 대전류가 흐른다
(3) 특성곡선 목차
1. 다이오드란?
2. 다이오드의 원리
(1)바이어스
① 순방향 바이어스
② 역방향 바이어스와 항복현상
(2) 동작원리
(3) 특성곡선
|
|
메뉴펼치기
