|
특성이 무엇보다도 흥미로웠고, noise따른 오차만큼 출력전압도 감소한다는 것도 흥미로웠습니다.
다음주에 실험할 FET실험도 사전에 FET에 대한 철저한 예비 공부와 그에따른 회로도 많이 공부해봐야 겠습니다. 1>기본이론(멀티바이브레이
|
|
|
방전의 특성을 이용하여 만들어진 회로라는 것을 알게 해주었다. 방전시간을 충분히 길게 해주는 것이 제대로 된 피크값을 가질 수 있는 회로구성의 기본요건이라는 것을 알 수 있었다. 1. 연산증폭기의 비선형
2. 능동 다이오드 회로
|
|
|
11)을 유도하라.
⇒ 구간에서
차단 도통 and , 병렬 →
실험 후 느낀 점
지난주 실험과 연관된 것 인줄 알아서 정말정말재미있는 연산증폭기실험이라고 생각했는데 아니어서 무서웠다....ㅠ 전자회로 시간에도 아직 배우지 않아서 회로도 익숙
|
|
|
전압은 저항 값에 따라 분배가 된다. 또한 병렬회로에서는 전압이 일정하다는 것을 알 수 있었다. 1. 실험 목표
2. 이론 요약
1) 옴의 법칙
2) 다이오드 특성
3. 실험 결과
1) 직렬회로 측정
2) 병렬회로 측정
3) 옴의법칙
4. 분석 및 토
|
|
|
그 조건은 다음과 같다.
(1) 무한대의 전압이득 : Av = ∞
(2) 무한대의 입력저항 : Rin = ∞
(3) 영 옴인 출력저항 : Rout = ∞
(4) 무한대의 대역폭 : B = ∞
(5) 영인 오프 1. 실험 목적
2. 실험 장치
3. 실험 이론
4. 실험 절차
5. 참고 문헌
|
|
|
전압을 측정함
0
500
1k
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
주파수를 올리면서 커패시터에 걸리는 전압 측정
토의
이번 실험은 정말 흥미로운 실험 이였다. 먼저 다이오드의 특성과 저항의 역할을 다시 한 번 알게 한 실험과 2차 시스템을 가지고 2차 시스템이 주
|
|
|
1. 실험 목적
2. 실험 순서
3. 이론적 배경
1) JFET (junction field effect transistor) - 접합 전기장 효과 트랜지스터
2) JFET의 출력 특성 곡선 (게이트 전압에 따른 드레인 전류와 드레인 소스 전압의 특성)에 포화 영역, 차단 영역, 옴 영역의 구분.
|
|
|
다이오드와 제너 다이오드의 알려진 특성 곡선과 실제 실험을 통해 확인한 특성 곡선이 수치까지 정확하게 일치하진 않았지만 같은 형태를 보이는 것을 확인할 수 있는 실험이었다. 1. 실험의 이론
2. 실험 결과
3. 결과 분석 및 고찰
4.
|
|
|
110209&eid=Z7Ds48alfb6adfouM2Ei7iqvnJy5
MFUX
③ http://explore.kw.ac.kr/%7Edeois/2003-1/3cha1bogo.ppt
④ http://www.kier.re.kr/common/renew/renew_03.html
⑤ 일반물리실험 북스힐, 김영식 외12명 공저, 3-139~141 1. 실험 목적
2.실험 원리
반도체란 무엇인가
반도체의 특성
|
|
|
다이오드와 깊은 연관이 있기 때문에 PN접합 다이오드와 PD와의 차이를 정확히 알아야 하겠다. 기본적으로 PD의 특성 실험에서 기판 구성을 해야 한다. PD의 전류와 전압 특성을 관찰하여 이론적인 자료들과 비교해 보고, PD를 이루는 재료에 따
|
|
메뉴펼치기
