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회로에 의해 JFET소자의 입장에서 병렬로 연결되어 있으므로 29.76킬로옴이다. 이것이 입력저항이며, 출력저항은 이 실험상에서는 60킬로옴이 된다. 저항이 2배이어야 전압이 0.5배로 하강하기 때문이다. 따라서 이와 같이 계산된 등가 저항으로
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회로 설계에서 발생할 수 있는 다양한 문제를 예방하고 해결하는 데 중요한 도움이 될 것이다. 이번 보고서를 통해 연산 증폭기의 특성에 대한 명확한 이해와 이를 바탕으로 한 회로 설계 능력 향상에 기여할 수 있었음을 확신한다. 향후 실험
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(R1B1) I(R1B2) I(R1C) V(3) V(4)
1.000E+01 8.207E-04 8.151E-04 8.861E-04 1.793E+00 1.936E+00
이론값
모의실험값
측정값
오차(%)
Ib(uA)
Ic(mA)
Vb(V)
Vc(V)
*직류해석(뒷 단자)
.OP
.DC VCC 10V 10V 6
VCC 6 0 10
R2B1 6 9 68K
R2B2 9 0 10K
R2C 6 7 2.4K
R2E 8 0 240
R3E 10 0 1K
Q2 7 9 8 Q2sc1815
Q3 6 7 10 Q2s
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증폭기를 설계하면 좋은 이득 고입력 저출력 저항을 가지는 증폭기를 설계할 수 있습니다,
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 )
JFET 공통 게이트 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시
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회로구성을 어떻게 할 것이냐에 따라 다르게 된다. 1. 목적 ……………………………………… 3P
2. 서론 ……………………………………… 3P
3. 부품 및 기기 …………………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~4P
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