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실험1의 AC simulation 결과와 Transient simulation에서 나타난 출력 진폭의 변동이 일치 여부 및 실험 1에서 사용된 회로의 주파수 특성과 입/출력 전압 gain 구하기.
저주파에서는 그래프가 일치하였으나 고주파로 넘어가면서 주파수의 외곡이 일어났
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1.PN접합다이오드개요
2.반도체
3.N형 반도체와 P형 반도체
4.다이오드의 특성 곡선
5.제너다이오드에 의한 전압
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불규칙적으로 나온다.
(이 부분은 미흡합니다. )
처럼 차이가 나는 이유를 설명하시오 1.실험목적
2.이론
1)고체저항
2)반도체
3)전류
3.실험 방법
1)실험준비물
2)실험방법
4.실험후 결과
1)실험후 그래프 결과
2)연구 고찰사항
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따라 선택한다. 그리고 역방향 전류는 매우 작아 수μA에서 수 mA이며, 다이오드의 종류에 따라 다르다. 실험에 사용한 멀티미터는 측정범위의 한계가 있기 때문에. 역방향 전압에서의 관찰은 어려웠다. 1.실험
2.측정값및 이론값, 고찰
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1.7V부근에서 이것역시 급격히 증가하게 되는데 이때가 문턱전압이 된다는 것을 확인할 수 있었다. 가 되고 의 식에 숫자를 넣으면 은 가 되는 것을 알 수 있었다. 1. 제목
1) MOSFET 기본 특성
2. 예비보고사항
3. PSPICE Simulation
1) 실험1.
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실험명
태양전지 출력 특성실험
검인
실험자
기계공학과
학번
200801908
성명
이지영
공동실험자
구자경 , 유민섭
실험일자
2012년 9월 25일 6교시 (화요일)
일기
맑음
온도
25.6℃
습도
43%
실 험
횟 수
측 정 치
계 산 치
저항
()
광도
()
전압
(, )
전류
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전압(mV)
두께
전류(mA)
IGO
1×3
422.9
300nm
100
실리콘
1×1
4.281
1mm
100
ITO
1×1
229.5
200nm
100
4-point probe방법
4.실험 방법
실험 A.
1. 휴대용 4 point probe를 이용하여 금속과 반도체의 면저항을 측정한다.
2. 금속과 반도체의 전기적 특성과 연관지어, 두 값을
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실험에서 10V~50V까지는 단자전압을 바꾸어 속도에 변화를 주었고 50V~실험 종료까지 단자전압은 50V상태로 두고 전동기 계자 저항에 변화를 주어 자속을 낮추어 속도에 변화를 줄 수 있었다.
5. 결론
이번 실험은 직류 전동기의 속도 특성 시험이
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1.00V
1.00mA
1.00mA
2.10V
2.11mA
2.11mA
2.94V
2.95mA
2.95mA
3.91V
3.92mA
3.92mA
4.92V
4.94mA
4.94mA
R=0.98kΩ,C=2.2μFEac=5Vf
Iac
Iac이론
100Hz
4.20mA
4.10mA
200Hz
4.79mA
4.79mA
300Hz
4.90mA
4.95mA
400Hz
4.94mA
5.02mA
2.실험 결과
실험1.R회로 직류실험(전류-전압그래프)R회로 교류실험.
(x축단
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직류 발전기는 잔류자속을 필요로한다는점. 전기기기때는 그저 공식으로만 넘어갔던 것을 하나하나 눈으로 보고 실험할수있어서 더 자세히 배울수있었다.
- 끝 - 1,실험목적
2.이론적배경
3.실험장비 및 실험조건
4.결과 및 고찰
5.결론
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