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실 험 목 적
전압분배 바이어스에 의해서 이미터 접지 트랜지스터 증폭기를 만든다.
○ 이미터 접지 증폭기의 전압 증폭도를 측정한다
○ 이미터 저항을 바이패스(Bypass)하는 증폭도에 미치는 영향을 관찰한다
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이미터 접지 증폭기
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이미터 접지 증폭기 시뮬레이션
[ 이미터 증폭기 ]
이미터 폴로워 시뮬레이션
[ 이미터 폴로워 ]
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-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다
참고문헌
-http://asic.postech.ac.kr/3.Class/1.Classes/EECE232/exp/2/exp2.pdf
-전자회로, 한건희
-http://cad.yonsei.ac.kr/
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도식적 구조
-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다 * 결과분석 및 토의사항
1)에미터 접지 증폭기 실험
2) 컬렉터 접지 증폭기 실험
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이미터 바이패스 커패시터에 따른 전압이득 효과
<그림 1-1>의 이미터 바이패스 커패시터 C2는 이미터저항을 단락(short)시켜, 실효적으로 이미터가 교류접지된다. 그러므로 바이패스 커패시터를 가진 증폭기의 전압이득은 최대값을 가지며
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