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회로도를 해석 또는 동작상태를 설명할수 있도록 지도하며 NOR 연산을 응용한 회로를 설계하므로 학생들에게 회로도를 보는 시각과 응용할 수 있는 시각을 가질수 있도록 한다.
(전자실기/ 실습 - 일진사 참조)
Ⅲ. 지도 단계
Ⅲ-1. 본시 교수
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도식적 구조
-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다 * 결과분석 및 토의사항
1)에미터 접지 증폭기 실험
2) 컬렉터 접지 증폭기 실험
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증폭기
: -입력단에 신호를 넣으면 R1과 R3의 비에 따라서 증폭이득을 결정할수 있고
출력단에 증폭된 신호가 반전되어 나오게 된다. 이득: -(R3/ R2)
회로도
시뮬레이션
입력: 1Vp_p, 출력: 10Vp_p
-R3/ R1 = -10 (배) , 출력이 반전됨을 plot을 통해 알수 있
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전자 교육부 충남대 공업교육연구소 p19～23 I. 서론
II. 본론
A. 트랜지스터(Tr; transistor)
B. BJT(bipolar junction transistor)
i. BJT의 동작
ii. 접지 회로
(a) 베이스 접지 회로의 정특성
(b) 이미터 접지 회로
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회로
7. 출력회로를 SSR 방식으로 변경
* 연구과제
1) 광전효과에 대하여 설명하시오.
■ 광전 효과
★ 흡수체 및 방출된 전자의 상태에 의한 분류
2. 포토다이오드와 포토트랜지스터의 동작원리를 설명하고, 각각의 구동 회로를 설계하시
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진행하면서 찍은 몇 개의 사진을 아래에 첨부하였다. (2) 달링턴 결합
R_1=10kΩ, R_2=100Ω을 사용하였고 베이스 전압과 컬렉터 전압은 모두 5V를 사용하였다. 이때의 측정된 input전류와 output전류는 다음과 같다. 1. 실험 측정치
2. 결과
3. 고찰
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결과적으로 전이 캐패시턴스는 감소한다. 1.반도체
2.에너지대
3.실리콘과 게르마늄 반도체의 다이어그램
4.전자대 정공의 흐름
5.이상적인 다이오드
6.실제적인 다이오드의 특성
7.다이오드의 순방향과 역방향 바이어스 특성
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회로, 회로이론 등의 과목에 대한 이론을 몸으로 직접 가까이 느낄 수 있는 소중한 경험이 된 실험이었다. 1. 제 목 : Term project
2. 상태도, 상태표
● 상 태 표 (INITIAL VALUE: 101-1001)
● 디코더 진리표
● 7세그먼트 디코터 부울함수식(공통
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결과는 베이스에 대한 교류입력전류를 나타내는 것으로서 컬렉터 전류는 베이스 전류에 비행 약 100배가 된다는 것을 나타낸다. Q점에서 직류β값은
β_dc = I_C OVER I_B = 2.7㎃ OVER 25㎂ = 108
이 된다.
β = I_C OVER I_B
와
α = I_C OVER I_E
의 관계로부터
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(2) 베이스 전송률
(3) 이미터공통 직류전류 이득
4. Simulation Result
실험1) PNP 다이오드의 4가지 특성
실험2) NPN 다이오드의 4가지 특성
실험3) PNP 공통 에미터 접지 회로
실험4) NPN 공통 에미터 접지 회로
5. Experiment Result
6. conclusion
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