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3. 휘센의 브랜드 성공 원인
1> 세계 각 지역에 대한 공통화와 차별화의 조화
2> 고객의 니즈에 부합하는 제품 개발
3> 디자인 중심의 제품 개발 프로세스
- LG 전자 내에서의 디자인 부문의 위상
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결과이다. [그림 6-8]을 보면 Drain 전압이 증가함에 따라 Drain 전류가 조금씩 실제로 증가함을 보이고 있다.
n-채널 MOSFET
p-채널 MOSFET 1. 목적
2. 이론
1)MOSFET의 기본원리
2) MOSFET의 Parameter 및 동작원리
3) 피스파이스 시뮬레이션
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있다.
555 timer에는 output terminal, reset terminal, discharge terminal, control voltage terminal, trigger and threshold terminal등의 terminal이 존재한다.
이 1. 실험목표
2. 기본이론
3. 사용기기와 부품
4. 실험내용과 방법
5. 데이터 분석 및 결과
6. 참고
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.5500
1.128
4366
29.18
이 실험은 RLC 직렬회로 일 때 각 소자에 걸리는 전압과 전류를 측정하는 실험이다.우선, 직렬회로 이기 때문에 전류는 일정하다 그리고 입력전압 V 는 교류회로 의
Vm over sqrt 2
값을 멀티미터기가 직접 계산해서 측정한 실효
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회로내의 부하저항과 내부저항에서 소비되는 전력의 합과, 부하저항에서 소비되는 전력인 PL 의 값을 통해 \'전송효율\'을 구할 수 있다. 계산결과 부하저항이 커질 수록 전송효율값도 커져가는 것을 확인할 수 있었다. 특히 내부저항과 부하
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점이 가장 큰 문제였다. 다음부터는 모든 준비물을 이용하여 실험을 계획해야 겠다.
분압기라는 것이 무엇인지를 잘 이해할 수 있었고, 이런 분압기가 실제 생활에서 많이 사용될 것이라고 생각된다. 4. 실험내용 및 절차
5. 결과보고서
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결과가 있었을 텐데 아쉬운 부분이었다.
이번 실험을 통해서 실험실에 있는 모든 장비를 총동원해서 비 반전, 반전 증폭기에 대해서는 더 자세히 알게 되었고 슬루율 이란 중요한 것을 배우게 되었다. 파형의 왜곡이 일어나지 않기 위해서는
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회로 전류 A2는 11.25mA 가 나왔고 원래 회로에서 부하 전류 IL는 11.03mA가 나왔다.
오차
A
R
( 측정값-계산값 OVER 측정값 ) * 100 %
0.1604%
0.0408%
위 표처럼 노튼 정리 역시 테브난의 정리와 마찬가지로 실험으로 확인한 결과 옳다는걸 알수 있다. 다만,
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두 단을 합쳐 설계 목표에 맞도록 최적의 튜닝을 한다.
먼저 이득은 35.42dB가 나왔고 잡음지수는 0.41dB가 나왔다.
입/출력 정재파 의 비도 1.31 : 1.11 로 기준 스펙을 만족한다. 1단 저잡음증폭기설계
2단 저잡음 증폭기설계
매칭및 튜닝
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회로의 개방과 단락이 가장 대표적인 회로의 고장 원인이다는 것을 조금 알 것 같다. 저항이 타버리는 경우에는 그 저항은 보통 개방되게 된다는 것을 알게 되었고, 조금 신기하기도 했다. 이 실험을 끝내고 리포트를 쓰는 와중에서 여러 응용
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