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회로는 이론과 같이 트랜지스터의 β에 매우 민감한 의존성을 지닌다는 사실이 실험적으로 확인되었다.
실험 ②회로는 BJT에 흐르는 전류가 트랜지스터의 β가 아닌 외부 저항 회로 소자에 의존한다는 이론을 뒷받침해주는 결과를 보였다. 트
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브레드 보드의 문제거나, CA3046 소자에 이상이 있어 이러한 값이 나타난 것으로 보이며, 이번 실험이 BJT를 이용한 마지막 실험이었는데, BJT에 대한 마지막 실험이 제대로 되지 않아 아쉬운 마음이 들었다. 1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰
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증폭기의 동산신호제거의 측정단위는 데시벨(dB)이다.
4. 차동전압이득이 100이고 동상전압이득이 0.001이면 동상신호제거는 얼마인가?
(a) 40dB(b) 60dB
(c) 80dB(d) 100dB
⇒ CMR(dB)=20log( Av(d) / Acm ) 으로 즉 20log(100/0.001) = 100dB이 나온다.
5. 그림 28-1의 회로
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공통베이스 증폭기의 동작과 특성을 설명하였다. 여기서 입력신호는 트랜지스터의 이미터단자에 가해지는 반면에 출력신호는 콜렉터단자로부터 얻는다. 이 실험에서는 또한 부하저항이 어떻게 회로의 전압이득에 영향을 미치는 지를 보여
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증폭기는 입력임피던스는 낮고, 출력 임피던스는 높다. 따라서 일반적이 증폭회로에서는 거의 사용 않는다. 다만 고주파 특성은 공통 에미터 증폭기보다 좋기 때문에 고주파 증폭 또는 고주파 발진회로로 주로 사용한다.
실험결과 전압이득
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순방향바이어스하기 위해 필요한 전압은 이제 두 실리콘 다이오드의 전압 강라에 의해 공급되어 두 실리콘 다이오드가 순방향 바이어스 된다.
출력 전압이 입력전압과 거의 같아 전압이득이 같다. 1. 실험 목적
2. 회로도
3. 결론
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회로가 간단하다. 이 실험 또 한 비교 대상이 없기에 어떻다라고 결론 내릴 것이 없다. BJT 이미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스
1. 실험 결과 데이터
(1) ß의 결정
(2) 이미터 바이어스회로
(3) 콜렉터 궤환회로 (RE = 0Ω)
(4) 콜렉터
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실험 결과 53
실험 6. 차동증폭기 55
1. 실험 목적 55
2. 기초이론 55
3. 실험기자재 및 부품 62
4. 실험방법 및 순서 62
5. Simulation 65
6. 실험 결과 67
실험 7. Op-Amp 기본 회로 69
1. 실험 목적 69
2. 기초이론 69
3. 예비 보고서 74
4.
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