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Ⅱ. 논리게이트와 기본논리게이트
Ⅲ. 논리게이트와 다이오드논리게이트
Ⅳ. 논리게이트와 트랜지스터논리게이트
1. 부정회로(NOT)
2. NAND 회로
3. NOR회로
Ⅴ. 논리게이트와 게이트구현
Ⅵ. 논리게이트와 범용게이트
참고문헌
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실험이었다.
MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 실험에서는 VDS를 10V로 고정시
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전자공학개론, Giorgio Rizzoni지음, Mc Graw Hill 출판
-회로이론, Hayt지음, 강철호 역, Mc Graw Hill 출판
-대학 물리학, 청문각 출판 1. 실험 목적
2. 실험 순서
3. 이론적 배경
1) JFET (junction field effect transistor) - 접합 전기장 효과 트랜지스터
2)
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전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture
/기초실험3/chap5/5_3.htm
http://clapton73.hihome.com/hpage/전기공학/트랜지스터/트랜지스터.html 1.트랜지스터의 정의
2.
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회로도를 보고 두 개의 방향을 잘 정하고 연결을 시작해야 한다.
(4) 저항 연결
저항은 방향은 상관이 없지만 연결을 하지 않을 경우 회로에 많은 전류가 흘러서 다이오드가 타버리게 된다.
(6) 조원들의 느낀 점
전기전자관련 실험은 처음이라
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회로도를 이용하여 작성한다..
그림 10
참 고 문 헌
James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉 출판사
이석목, 2003년 1학기 전자물리 강의
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전자와 결합하고 나머지 대부분에 정공은 매우 얇은 베이스를 통과하여 P형인 콜렉터로 흘러 외부 전원의 (-)극으로 들어간다. 에미터-콜렉터간은 직렬로 된 EB간 전압과 CB간 전압에 의해 연결된다. 실험일자
실험제목
실험목적
관
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트랜지스터와 회로를 구성할 땐, 복잡한 계산이 필요하며 이것이 쉽지 않다는 것을 알 수 있다. 결과값과 결론이 이론과 같게 나온 실험이었다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사> 1. 실험의 목표
2. 기본
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전자 회로에 관한 기본사항을 숙지 할 수 있었던 것 같다. 3. 실험과정
(1) 납땜
(2) 부품 판독
4. 고찰
(1)납떔시 플락스의 역확을 무엇인가
(2)예비 납땜을 하는데 예비납땜의 의미는 무엇인가.
(3)저항의 종류
-고정저항의 종류
-가
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실험
1) 실험결과 및 고찰
2) 작동원리 및 종류
3) 정전압 다이오드의 원리와 특징
2. 트랜지스터 실험
1) 트랜지스터 종류
2) 트랜지스터의 원리 및 특성
3. OP-amp 실험
1) 실험결과 및 고찰
2) 반전/비 반전 증폭기의 작동원리
3) OP-amp 의
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