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전자회로실험_A+레포트_BJT Bias Circuit
목차
1. 서론
2. BJT 바이어스 회로의 이론
3. 실험 장치 및 방법
4. 실험 결과 및 분석
5. 고찰
6. 결론
전자회로실험_A+레포트_BJT Bias Circuit
1. 서론
전자회로는 현대 사회 전반에 걸쳐
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전자회로실험_A+레포트_BJT Bias Circuit
목차
1. 실험부품 및 실험방법
2. 이론
3. 실험결과
4. 토의
1. 실험부품 및 실험방법
BJT 바이어스 회로 실험을 위해 필요한 주요 부품으로는 NPN 트랜지스터, 저항기, 전압원, 그리고 직류 전
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A)
β
결과값
694
mV
0V
11.11V
11.11
-3.31
3.29
19.31
170
.38
2. 고정바이어스 회로
그림 3-2
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
3.29V
2.59V
13.17V
10.58V
3.82
3.79
22.10
171
.49
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이
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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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전자회로실험 (인터비젼) 교재 외
Micro electronic Circuits SedraSmith (OXFORD), NAVER
(4) PSPICE를 이용한 시뮬레이션
실험 10. BJT의 이미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스
(1) 결정
(2) 이미터 바이어스회로
(3) 콜렉터 궤환회로(=0)
(4) 콜렉터 궤환회로(가
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