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회로 시험기 -1대
(8) 오실로스코프 -1대
(9) 실리콘 다이오드 -4개
(10) 저항(500[Ω], 1[kΩ]) -각1개
(11) 만능 기판(bread board) -1개
(12) 리드선 -다수
4.실험 방법
1.그림과 같이 브리지형 전파 정류 회로를 구성한다. 단, 부하저항은 1[kΩ]으로 한다.
2.오
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회로가 작동 안하는것을 방지할수 있다.
●실험 방법 및 유의 사항
1 - (1) 측정문제
*회로도를 보고 진리표를 구한 후 NAND게이트인 IC 7400칩을 이용해 회로도를 구성하고 진리표와 비교를 하면된다. 그런데 이와같은 방법으로 전압을 구하게되
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1. 실험목적
• 레귤레이터 소자의 사용법을 익히고, 그를 응용한 회로를 꾸며본다.
2. 실험결과
1) 실험 1 : 레귤레이터 회로( 12V -> 5V -> 3.3V , LM7805 & LM317)
≪ 사 진 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
≪ 그 림
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부하 실험에서의 경향성과 동일하나 그 진폭이 훨씬 커졌다. 블리더 저항기가 추가되었을 때 회로의 전압 변동률이 좋아진다는 이론에 부합하는 결과이다. 또한 회로에 커패시터가 1개 추가되었기 때문에 전압의 첨두치가 훨씬 작아졌다.
④
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실험과정 9를 반복한다.
③ 바이어스된 2중 다이오드 리미터
11. 교재의 회로를 구성한다.
12~14. S1, S2를 지시에 따라 개방 혹은 단락시키며 출력 파형을 측정하고 기록한다.
15~16. VAA를 지시에 따라 증가 혹은 감소시키며 출력 파형을 측정한다.
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작게 한 후 증폭기의 신호입력에 연결하고 각단의 출력을 측정한 결과, 이론과 일치하는 증폭된 파형이 출력되었고, 각단의 DC 바이어스 + 사인파 의 형태로 출력되었다. 1. 주제 및 실험 관련사항
2. 전체 회로도
3. 각단 해석
4. 결론
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실험과 마찬가지로 예상했던 결과와는 약간 차이가 있었음을 알 수 있다. MOSFET의 특성상 열에 약해서인지 예상했던 결과에서 약간 벗어난 측정 결과를 얻은 것 같다.
2.3 소스 접지 증폭기
2.3.1 실험 회로도
PSPICE 회로도
브레드 보드 구성
2.3.2
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등가회로를 완성한다.
실험 내용 및 예상 결과
(1)실험 내용
▲실험회로(기본 회로실험)
①위의 실험 회로를 구성하라. 저항 R1=R2=300[Ω], R3=150[Ω]을 각각 연결하라.
②부하저항 =330[Ω]을 연결하고, 직류전원 V1=12[V]를 인가하라.
③에 걸린 전압
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)
① 실험 결과(1) 그림 20-2의 회로를 구성하여라.(2) 입력신호를 1Vp-p로 하고 주파수를 100Hz 로부터 서서히 증가시키면서 출력의 변화를 관찰한다.
회로 구성
일 때, 200Hz
일 때, 400Hz
일 때, 800Hz
일 때, 1600Hz
일 때, 200Hz
일 때, 400Hz
일 때, 800Hz
일 때
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실험결과와 그 데이터의 분석 방법을 개략적으로 보이면 <그림 8.3>과 같다.
회로 구성
< Plot vs >
- 처음 값이 +5V일 때, 값은 3.5679kΩ이다.
- 처음 측정한 값이 약 2배가 될 때의 전압 값은 3.75V이다.
- 문턱전압 2V부터 감소하는 파형으로
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