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정특성곡선)를 그려보았고 그 동작원리와 증폭작용이 어떤 방법으로 되는지 알 수 있는 실험이었다. 가 약간만 변화하여도 의 변화가 크다는 사실을 위의 그래프 에서도 알 수 있었고 이 실험 목적 외에 한 가지 더 알아 낸 사실은 트랜지스터
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암페어까지 흐르게 할 것인가?
먼저 컬렉터 최대정격전류（Ic)를 초과해서는 않되며 실제 사용시에는 1/2 이하에서 사용해야 한다.
또 하나는 콜렉터 손실(Pc)을 기준으로 최대 전력을 초과하여 사용하지 않도록 한다. 이것의 사용전압 × 전류
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트랜지스터 특성곡선 시뮬레이션.
◎공통 베이스 트랜지스터 출력곡선
◎공통 이미터 트랜지스터 출력곡선
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곡선에서 얻어지거나 다음 식으로 얻어진다.
더욱 정확한 식의 형태는 다음과 같으며
이 때 은 쌍극성 트랜지스터의 얼리전압과 유사하다.
Q-점에서 특성곡선의 기울기가 로 정의되고, 는 트랜지스터를 모델링한 전류원의 전원임을 상기하라.
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곡선이다. 입력특성곡선은 여러 가지 출력전압
(V_CE )
에 대하여 입력전압
(V_BE )
에 대한 입력전류
(I_B )
의 관계를 나타낸 그림으로 공통베이스회로의 입력 특성곡선과 유사한 모양을 나타냄을 알 수 있다. 따라서 트랜지스터가 \"온\"상태일
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Transistor-Free(0T/1R) Non-volatile Resistance Random Access Memory(PRAM) Using a Novel Threshold Switching, Self-Rectifying Chalcogenide Device\". 2003 IEDM Technical Digest, 2004
박재근, “Nano SIO Process Lab.”,<http://asmddc.hanyang.ac.kr/research/image/img19.jpg>
박재근 · 백운규. <PoRAN
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