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1. CVD (cheical vapor deposition):
gas 상태의 화학성분(chemical constituents)들이 높은 온도의 기판 위에서 반응하여, 기판 위에 (비휘발성) 고상을 생성하는 재료합성공정.
2. 응용 분야:
- thin film, coating 제조
- solid state electronic devices 제조
- ball bea
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증착.
1. 증착 하려는 source material을 도가니에 넣고 가열.
2. Source material이 기체상태가 되어 기판의 표면에 충돌.
3. 충돌된 기체상태의 금속원자가 기판에 증착됨. PVD
원리 및 종류 그리고 특징
CVD
원리 및 종류 그리고 특징
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공학', 복두출판사, 1995
[6] 이종덕, '실리콘집적회로 공정기술', 대영사, 1997
[7] 신현국, 'CVD/ALD 재료 기술 동향', (주)유피 케미컬, 2005
[8] 김상훈, ‘Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition’, 전북대학교, 2008
참 고 사 이 트
[9] http://blog.naver.com/ycin6306/900
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박막공학의 기초, 최시영, 일진사 1. 박막(Thin film)
1) 박막이란?
2) 박막형성기술의 개요
3) 박막형성기술
4) 박막의 제조방법
(1) 화학적 및 전기화학적 방법
① 음극 전해 성막법
② 무전극 또는 무전기 성막법
③ 양극 산화법
④ CVD (ch
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다.
<그림 1-20.1 PLD 기본원리>
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
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