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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로
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1. 실험 목적
2. 실험 방법
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정)
3) ICP 장비의 반응 Chamber에 시료를
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Oxidation : SiO2 입혀주기
포토리스그라피 반복
PR 도포
Soft Baking 10분
노광 : Align Key 사용하여 정확한 위치
Develop DI water
Hard Baking 10분
뒷면 Taping
금속(Al 1500Å) 올리기 과정
Evaporator 진공 10^-6까지 30~40분 소요
PR 도포
Soft Baking 10분
노광
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화학반응 공정 - 산화(oxidation) 공정
반도체 제조의 주요 화학반응 공정 - 화학기상증착(CVD) 공정
CVD 반응장치
에피택시(Epitaxy) 공정
* 액상 에피택시(LPE)
* 기상 에피택시(VPE)
식각(Ecthing) 공정
*건식 식각(dry etching)
웨이퍼 세정(wafer cleaning)
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