|
구조로 만들어지며, P형과 N형 물질의 위치만 바뀌면 된다. 따라서 P 채널 FET의 회로도 그림 12-9와 같이 전원의 극성을 반대로 연결해야 한다. 그림 11-10은 P형 JFET의 출력 특성곡선이다.
사용처
JFET 입력 증폭기는 고입력임피던스 신호원으로
|
|
|
구조로 만들어지며, P형과 N형 물질의 위치만 바뀌면 된다. 따라서 P 채널 FET의 회로도 그림 12-9와 같이 전원의 극성을 반대로 연결해야 한다. 그림 11-10은 P형 JFET의 출력 특성곡선이다.
사용처
JFET 입력 증폭기는 고입력임피던스 신호원으로
|
|
|
인 특성 곡선 ( = 0)
(4) 전압에 따른 드레인 특성 곡선군
그림 12-6에서와 같이 값을 조절하여 가 옴의 값으로 증가하도록 하면 는 가 옴의 값으로 증가할수록 감소하며, 또한 가 커질 때마다 JEFT는 보다 작은 값에서 핀치-오프점에 도달함에 유의
|
|
|
JFET 와 MOSFET의 차이점
① 구조적
② 기능적
JFET는 게이트의 전압이 0V일때 드레인 전류가 관통하는 채널의 폭이 최대이기 때문에 상시개통(normally ON)'소자라고 한다. G-S의 pn 접합에 가한 역 바이어스의 크기가 클수록 채널의 유효폭이 줄어든
|
|
|
- Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://blog.naver.com/dolicom/10084139379 (그림 참조)
출력, 전달 특성
전자 회로 - Robert L. Boylestad, LOUUS NASHELSKY 저
http://blog.naver.com/dolicom/10084139379 (그림 참조)
|
|
메뉴펼치기
