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회로에 의해 JFET소자의 입장에서 병렬로 연결되어 있으므로 29.76킬로옴이다. 이것이 입력저항이며, 출력저항은 이 실험상에서는 60킬로옴이 된다. 저항이 2배이어야 전압이 0.5배로 하강하기 때문이다. 따라서 이와 같이 계산된 등가 저항으로
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회로 설계에서 발생할 수 있는 다양한 문제를 예방하고 해결하는 데 중요한 도움이 될 것이다. 이번 보고서를 통해 연산 증폭기의 특성에 대한 명확한 이해와 이를 바탕으로 한 회로 설계 능력 향상에 기여할 수 있었음을 확신한다. 향후 실험
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(R1B1) I(R1B2) I(R1C) V(3) V(4)
1.000E+01 8.207E-04 8.151E-04 8.861E-04 1.793E+00 1.936E+00
이론값
모의실험값
측정값
오차(%)
Ib(uA)
Ic(mA)
Vb(V)
Vc(V)
*직류해석(뒷 단자)
.OP
.DC VCC 10V 10V 6
VCC 6 0 10
R2B1 6 9 68K
R2B2 9 0 10K
R2C 6 7 2.4K
R2E 8 0 240
R3E 10 0 1K
Q2 7 9 8 Q2sc1815
Q3 6 7 10 Q2s
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증폭기를 설계하면 좋은 이득 고입력 저출력 저항을 가지는 증폭기를 설계할 수 있습니다,
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 )
JFET 공통 게이트 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시
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회로구성을 어떻게 할 것이냐에 따라 다르게 된다. 1. 목적 ……………………………………… 3P
2. 서론 ……………………………………… 3P
3. 부품 및 기기 …………………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~4P
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교류적인 이득은 보상을 시킬 수 있습니다.
BJT와 JFET의 비교
3. JFET 공통 소스 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 ) 1. 목적
2. 이론
3. JFET 공통 소스 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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전자회로실험
REPORT
학 과 :
학 번 :
이 름 :
전자회로실험 REPORT
제 목
JFET 공통 소스 증폭기
1. 목적
JFET 공통 소스 증폭기를 구성하여 증폭기의 특성 및 동작 원리를 실험을 통하여 이해한다.
2. 관련 이론
(1) 바이어스회로
JFET 증폭회로의 동작
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실험해 보는 것도 좋을 것 같다.
이번 실험을 통해 증폭기의 기본원리를 알아보았다. 전압이득을 높이기 위해 를 조절하는 방법도 있겠지만 출력을 또 다른 증폭 회로의 입력으로 주는 다단 증폭의 방법도 있을 것이다. 이 두 가지 방법에는
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이것은 사용한 저항값의 오차 (±5%)와 파형을 읽을 때의 눈금오차로 판단된다.
참고1 ) OP AMP 내부 세부 회로도 (예시) 1. OP AMP의 기본 특성
2. 비반전 증폭기 회로구성 및 동작 원리 실험
3. 반전 증폭기 회로구성 및 동작 원리 실험
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회로, 단계4는 바이패스 커패시터가 없는 경우, 단계8은 무부하시 공식을 사용했다.
- 실험 결과와 이론값의 오차가 5%이상 조금 많이 난 이유를 생각해보면, VE 값과 VC의 계산값을 구할 때, 측정해야하는 값 VBE와 IC, RC가 필요한데, 이 과정에서
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