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LED의 재료에 따라 달라지며, GaAs는 약 1.0V, GaAsP는 1.5V, GaP(적색)은 1.8V, GaP(녹색)은 2V이며, 고휘도 LED의 경우는 더욱 높아진다. 다음 [그림 3]은 V-I 특성과 V-T 을 나타내었다.
LED 표시 소자
발광 다이오드에는 점(點) 발광 소자 외에 반사판과 함께
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발광소자인 LED와 LD의 구동 특성을 측정하는 실험이다. LED와 LD는 각각 자연방출 유도방출의 발광을 하기 때문에 광출력에서 많은 차이를 보이리라 기대할 수 있겠다. LD는 유도 방출이기 때문에 신호가 증폭되어서 LED에 비해 더 고출력을 신호
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접착력 ③ 기판과 고분자형 유기 EL층 사이의 접착력 1. 서론
2. 고분자 LED의 발광원리
3. 고분자 전기 발광 소재 개발 현황
4. 청색 전기발광 고분자의 개발 동향
5. 재료와 소자의 추가적인 성능개선
6. 패터닝 방식에 따른 재료의 개량
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LED(Light Emmitting Diode) :
에너지 밴드 갭 차이에 의해 색을 결정
원소의 종류와 혼정 비율에 따라 발광파장이 결정됨. 1. Why LED
2. Market of LED
3. Principle of LED
4. Process for LED
5. Application of LED
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1) LED(발광 다이오드) 특성.
2) 7-세그먼트 표시
3) 광 다이오드 특성
4) 광결합기 특성
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