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LED의 재료에 따라 달라지며, GaAs는 약 1.0V, GaAsP는 1.5V, GaP(적색)은 1.8V, GaP(녹색)은 2V이며, 고휘도 LED의 경우는 더욱 높아진다. 다음 [그림 3]은 V-I 특성과 V-T 을 나타내었다.
LED 표시 소자
발광 다이오드에는 점(點) 발광 소자 외에 반사판과 함께
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발광소자인 LED와 LD의 구동 특성을 측정하는 실험이다. LED와 LD는 각각 자연방출 유도방출의 발광을 하기 때문에 광출력에서 많은 차이를 보이리라 기대할 수 있겠다. LD는 유도 방출이기 때문에 신호가 증폭되어서 LED에 비해 더 고출력을 신호
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접착력 ③ 기판과 고분자형 유기 EL층 사이의 접착력 1. 서론
2. 고분자 LED의 발광원리
3. 고분자 전기 발광 소재 개발 현황
4. 청색 전기발광 고분자의 개발 동향
5. 재료와 소자의 추가적인 성능개선
6. 패터닝 방식에 따른 재료의 개량
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LED(Light Emmitting Diode) :
에너지 밴드 갭 차이에 의해 색을 결정
원소의 종류와 혼정 비율에 따라 발광파장이 결정됨. 1. Why LED
2. Market of LED
3. Principle of LED
4. Process for LED
5. Application of LED
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1) LED(발광 다이오드) 특성.
2) 7-세그먼트 표시
3) 광 다이오드 특성
4) 광결합기 특성
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광고용 입체간판을 말하며, 적은 전력소모로 다양한 색상 연출이 가능하고 수명이긴 미래형 조명장치이라 할 수 있다.
우리나라의 경우 LED 소재 및 패키지
기술 등 LED 광원의 원천기술은 선진국
(일본, 미국, 유럽) 에 비하여 낮은 수준
이나,
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결합하면서 에너지 준위가 낮아지게 되고, 에너지 준위가 낮아짐과 동시에 방출되는 에너지가 빛의 형태로 발산된다. 이 빛이 우리 눈에 보이는 LED 광인 것이다.
LED의 단점은, 활성층에서 에너지가 빛의 형태 뿐만 아니라, 열의 형태로도 방출
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LED(light emitting diode)라고도 한다. 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상은 전기 루미네선스(전기장발광) 라고도 한다.
-발광 다이오드의 약자로 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 에너지를 광 에너지로 변환시켜 주는 반도체소자를 말
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LED(light emitting diode)라고도 한다. 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상은 전기 루미네선스(전기장발광) 라고도 한다.
-발광 다이오드의 약자로 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 에너지를 광 에너지로 변환시켜 주는 반도체소자를 말
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LED의 활용은 무궁무진 할 것이며, 생활 전반으로 계속 확대되어 갈 것이다. LED발광다이오드의 사용량이 늘어갈 전망이니 만큼 우리나라의 기술력도 많이 키워야 할 것이다.
참고문헌
* 백종민(2006), 화면과 출력 색상 같은 LED 광원 LCD 모니터
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