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박막 형성 공정 및 분석법············25
3.1 박막 형성 공정···························25
3.1.1 진공·································25
3.1.2 열 증착 공정···························25
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박막소재
2-7-2.박막화 기술
2-8.나노복합 절연체 제작 공정 및 유기물 절연체 형성
2-8-1. pentacene 반도체 층 증착
2-8-2. Al source-drain 전극 증착
2-8-3. 표면처리
2-8-4.전기 도금된 Ni의 표면조도
2-8-5.나노입자에 따른mobility 및Current on/off ratio
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반도체의 성질
2) 반도체의 일반적 이론
(1) 반도체의 캐리어(Carrier)
(2) 진성 반도체
(3) 불순물 반도체
(4) n형 반도체와 에너지대
(5) p형 반도체와 에너지대
(6) 재결합
3) 반도체의 종류
(1) 원소 반도체
(2) 화합물 반도체
(3) 유기물 반도
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박막증착이 가능한 진공도에 도달하게 되면 power supply에 전원을 넣고, 전류를 가해 발생하는 저항열에 의해 시료(Alq3 또는 TPD)를 승화시켜 기판 위에 박막을 증착시킨다.
5) 증착이 완료되면 power supply 및 RP와 DP의 전원 스위치를 내리고, N2 gas
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,박막증착
반도체-벌크접착, 확산형 1.센서의 개요
2.센서의 분류
■온도센서
온도센서의 분류
온도센서의 종류
■습도센서
■가스센서
■바이오센서
■후각,미각센서,촉각센서
■전기량센서
■자기센서
■음향센서
■광센서
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제 3 장. 실험 방법 30
제 1 절 기판 및 시약 준비 30
제 2 절 OTS 증착 31
제 3 절 MIS 커패시터의 제작 34
제 4 장. 실험 결과 38
제 1 절 누설전류 특성 38
제 2 절 펜타센 증착 표면 43
제 5 장. 결 론 51
참고문헌 52
Abstract 55
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