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실험에서는 전압이 0.009mV이고 전류는 27.5mA로 측정되었다. 이론값은 다음 그림과 같다.
마지막으로 각 저항에서의 power를 계산해보면,
저항
전력
1킬로옴
220.8mW
2킬로옴
110.4mW
3킬로옴
73mW
이로써 알 수 있는 병렬회로의 응용은, 각 부하에 걸리
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측정값의 오차 발생 요인으로 생각된다.
c. 이상적인 회로 구현의 어려움
- 이상적인 회로는 저항기를 제외한 나머지의 저항은 0이기 때문에 저항기 외에서의 전압강하는 일어나지 않는다. 또한 이상적인 실험환경에서는 온도나 습도 등의 요
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실험목표
R-L-C 각 소자의 특성과 교류 회로에서의 전압과 전류 사이의 위상 개념을 이해하고, 교류 회로에서의 임피던스에 대해서 알아본다.
RL 회로
직류전압이 저항과 인덕터의 직렬회로에 가해질때 정상전류는 다음과 같다.
Imax=
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측정해 동작을 확인하는 과정을 가졌다. 브릿지 회로의 경우에서 또한 같은 특성을 볼 수 있었고 이렇게 여러가지 실험을 통해 다이오드라는 소자의 여러 활용법에 대해 많은 것을 배울 수 있는 기회가 되었으며 설계시 필히 적용할 수 있도
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측정 연습
2. 실험목적 : 옴의 법칙을 V = I 을 확인한다.
3. 실험이론 :
(1) 옴의 법칙
(2) 저항
(3) 전류
(4) 전압
(5) 오실로스코프
4. 실험결과 :
A. 오실로스코프 및 함수발생기
B. 저항 측정 (100, 200, 1k, 2k, 3k)
C. 옴의 법칙 (100, 1K)
5. 분
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R전압이 -32.1418 만큼 느리다.
X-Y모드 : 기울기가 0.532인 직선
입력과 R의 전압을 동시에 관측하려면 R과 L의 위치를 바꾸면 된다.
3.9 위의 RC회로와 RL회로의 전달함수의 크기와 주파수특성을 실험적으로 구할 때 측정주파수를 각각에 대해 결정
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저항의 경우에는 A,B,C 세 단자 중에서 A-C가 전체저항을 의미하는 것이며 A-B와 B-C의 합이 A-C전체저항이 된다는 사실을 알았습니다. 그리고 저항의 직렬+병렬 연결된 회로에서는 실험적으로 Ohm의 법칙을 확인할 수 있었습니다. 측정값의 오차를
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회로에 흘러들어가 2Ω의 저항에 5A가 흐르고, 5Ω의 저항에 2A가 흘러 합은 7A의 전류가 되는 것이다.
3.멀티미터의 기본구성
멀티미터(Multimeter)
전기량을 측정하는 계기에는 그 종류가 많으므로 실험의 목적에 따라 알맞은 실험 계기를 선택해
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회로의 미지 저항 R을 구하라.
V = IR에서 ,
∴ R = =
확인문제 4. 다음 회로의 미지 전압 V를 정하라.
V = IR 에서 = ∴ V = 30V [예비 Report] -2 pages
1. 실험 목적
2. 실험 기구
3. 배경 이론
VIR 의 정의
[결과 Report]- 3 pages
1. 실험 증명
2. 결론
3
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실험회로로 결선하고 A, B 두 입력변화에 따른 출력 X의 값을 측정하라.
(2) NAND 게이트의 응용
- 그림3-8과 같은 회로를 결선하고 입력변화에 따른 출력 X, Y, Z의 값을 측정하라.
(a)
(b)
(c)
그림3-8 NAND 게이트 응용회로
(3) NOR 게이트
- 그림3-9 NOR 게
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