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회로에서의 저항값 R과 인덕턴스L, 전기용량C를 각각 측정하고, 직렬 R-L-C 회로의 임피던스를 구하는 실험이었다. 실험에서 측정한 전류와 전압값을 통해서, 각각 그래프를 그려보고 기울기를 구해서, 식을 통해서 얻은 이론값과 비교하여 오
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R-L-C회로 측정 예비레포트
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회로
It
Et
ER
EC
R
XC
C(μF)
z
φ
50
26
20
17
400
330
8
110000
-0.70
100
45
33
28
330
290
9
87000
-0.70
150
65
50
43
330
290
9
87000
-0.71
200
85
65
55
330
270
10
70000
-0.70
(3)R-L-C회로
It
Et
ER
EC
EL
R
XC
XL
C
L
z
φ
50
24
19
15
0.5
380
0.00030
10
8.8
0.027
380
-0.65
100
43
33
28
1.7
330
0.00028
17
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비저항 측정
4. R-L-C회로측정
5. 반도체다이오드의 특성
6. 트랜지스터의 특성
7. 빛의 반사와 굴절법칙
8. 이중슬릿의 간섭과 회절
9. 광전효과에 의한 Planck상수 측정
10. 2008년 2학기 한양대학교 일반물리실험 기말고사 시험지
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C 회로 >
① RLC회로상자에 저항, 코일, 콘덴서를 연결하여 R-L-C회로를 구성한다.
② <R-C회로> 실험에서와 같은 방법으로 실험하되 전류의 값을 10에서부터 시작한다.
5. 분석
표1 ) R - C 회로
Rm
(이론)
(측정)
(이론)
10
100
0.7V
2.0V
2.1190V
3V
0.07A
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