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XPS와 AES에서만 사용할 수 있는 유일한 분석기술이다.
5) 절연물질의 분석
분석대상 시료가 절연체(세라믹스, 유리, 고무, 고분자 등)일 경우 광전자의 방출에 의한 전자부족으로 하전현상(charging effect)이 일어나서 광전자 선이 높은 결합에너
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물체를 이루고 있던 전자가 튀어나가 입사 된 X선의 파장보다 긴 파장으로 산란 되며
이 때 산란각이 커질수록 산란 된 X선의 파장이 더 길어지는 현상 XPS의 정의
XPS 기본원리
XPS 장치의 주요 구조
XPS 분석
AES와 비교 체험
XPS 장.단점
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원리
(2) AAS의 구성
(3) 감도 및 검출 한계
1. 감도
2. 검출한계
(4) 적용범위
(5) 분석방법
2. XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
(1) 기본원리
(2) ESCA 장치의 주요 구조
(3) 광전자 스펙트럼 (Photoelectron spectrum)
(4) 화학적 이동 (Chemical shift)
(5) 정
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장치
(3) 기존 장비와의 비교
9. AAS (atomic absorption spectroscopy)
(1) AAS원리
(2) AAS의 구성
(3) 감도 및 검출 한계
(4) 적용범위
(5) 분석방법
10. XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
(1) 기본원리
(2) ESCA 장치의 주요 구조
(3) 광전자 스펙트럼 (Photoelectr
조성측정방법 TGA, XRD DTA, 재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS),
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Depth of field
Imaging mode
Example
EDS, WDS, EBIC, EBSD
XPS
Introduction
Principle
Instrument
X-ray source
Electron energy analyzers
Detector
Satelite lines
Sample preparation
Analysis
Elemental analysis,
Chemical state analysis
Quantitative analysis
Depth profile analysis
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