|
리소그라피 : 오히려 CAR이전 레지스트 사용
- 50nm pattern형성 예측
(3) E-beam, X선 : 화학증폭형 레지스트 개념 적용
나. Photoresist 개발 방향
(1) 고흡광도
(2) 고감도화
(3) 고해상도
다. 정리를 마치며
lithography는 기술적으로도 반도체 프로세스의 핵
|
|
|
리소그라피의 과정들을 이렇게 실제공정을 실험으로써 하나씩 풀어 머리에 익혔으니 앞으로 리소그라피과정만큼은 절대 잊지 못할 듯 하다. 3주간의 실험을 통해서 차근차근 자세히 해봐야 하는데 일주일만에 끝내려니 빼먹은 부분도 있고
|
|
메뉴펼치기
