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Photoresist 개발 방향
(1) 고흡광도
(2) 고감도화
(3) 고해상도
다. 정리를 마치며
lithography는 기술적으로도 반도체 프로세스의 핵심 기술로서 반도체 디바이스의 미세화와 집적화를 주도하는 역할을 담당하고 있다. lithography 기술은 i-line(파장 365n
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(lithography)
1) 리소그래피란?
2) 리소그래피 기술의 개요
3) 리소그래피 장치의 분류
4) 리소그래피 방법
① Photoresist coat (PR 코팅)
② Soft Bake(소프트 베이크)
③ Photo exposure(노광)
④ Develop(현상)
⑤ Hard bake(하드 베이크)
5) 향후의 전망
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Photoresist(PR)를 이용한 Lithography 기술도 Solvent를 사용하지 않는 차세대 Lithography기술로 전환됨에 따라 이에 대한 연구가 필요하다. 유전상수(dielectric constant) k값이 2이하인 절연체를 개발을 하면서 Photo-imagible Dielectric Material이 개발되면 Lithography
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, 이용의, 김진용, "Cellular Phone용 고주파 SAW 필터 개발", 정보 통신부, 1995 Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
(1) 웨이퍼의 세척
(2) Ti 박막 증착
(3) Al 박막 증착
(4) PR(Photoresist) 증착
(5) 노광
(6) 현상
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅴ. 결론
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PhotoResist coating
감광제 도포(Positive or Negative)
1000 ~ 5000 rpm 정도로 회전
약 30 ~ 60초
점도, 스핀 속도와 시간
☞ 두께와 균일성에 영향
Si 표면과 PR간의 접착력 향상
→ HMDS 사용 반도체 (집적회로) 공정
Lithography 개요
Lithography
Lithograp
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