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◎ 시멘트의 화학조성
- 3CaO.SiO2 (C3S) : 알라이트
- 2CaO.SiO2 (C2S) : 벨라이트
- 3CaO.Al2O3 (C3A) : 알루미네이트
- 4CaO.Al2O3.Fe2O3 (C4AF) : 페라이트
◎ 시멘트의 성분
- 주성분 : 석회(CaO), 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3)
- 부성분 : 산화철(Fe2
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기판에서의 면저항값이다. 세 번째는 90nm의 SiO2 기판에서의 면저항을 볼 수 있다. 각각의 경우 첫 번째 그림은 투과율이 약 87%일 때 실험에서 구한 값과 비교해서 오차가 작음을 알 수 있다. 하지만 여기서는 우리가 실험한 그래핀의 투과율을
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ET의 보호회로
MOSFET의 VGS 전압이 약 100V를 넘으면 게이트의 SiO2 층이 파괴된다. 즉 MOSFET는 일상적으로 발생되는 정전기에 매우 약하다. 따라서 입력 게이트 단자에 보호회로를 설치함으로써 정전기 등으로부터 보호할 필요가 있다.
<그림 3-1
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CaCO
+ Mg(OH)2
기타 세제
여러 종류의 독특한 세제들이 널리 이용되고 있다. 간단한 연마세제에는 실리카(SiO2), 경석 (65%-75% SiO2, 10%-20% Al2O3), 일정량의 비누와 약간의 폴리인산염 그리고 그외 합성세제와 표백제 등이 포함되어 있다.
여러 가지
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SiO2 박막의 모양이 될 복사본을 포함하는 유리 또는 석영 사진판이다. 마스크 위의 유제 안에서 어두워진 부분은 자외선이 차단된다. 빛에 노출된 포토레지스트의 부분은 사용된 레지스트의 형태에 따라 변하는 화학적인 반응을 겪게 된다.
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지르코니아의 복합재료를 형성
3Al2O3+2ZrSiO4=3Al2O3·2SiO2+2ZrO2, 3Al2O3·2SiO2+2ZrO2=3Al2O3·2SiO2+2ZrO2 1. 격자확산기구
2. 점성유동기구
3. 격자확산기구2
4. 입계확산기구
5. 액상소결기구
6. 가압소결
7. 정수압소결
8. 반응소결
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SiO2 + H2SO4 → χSiO2 + Na2SO4 + H2O
위의 반응식을 따르면 생성물 부분에서 침전이 되는 SiO2와 용액상에 이온화 되어 있는 Na2SO4, 그리고 물이 생긴다.
< 6N 염산과 규산나트륨 수용액의 교반 >
그 다음으로 이 반응물들은 겔화되어 회백색의 젤리
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SiO2층을 증착시키고, 여기에 GeO2, B2O3 및 P2O3와 같은 소량의 불순물을 첨가하여 적절한 굴절률 분포와 크기를 갖는 모재를 만드는 방법이다.
① OVPO (내부증착)
OVPO(Outside Vapor Phase Oxidation) 공정을 일명 OVD(Outside Vapor Deposition) 공정이라고도 하며
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SiO2를 좀더 많이 포함한 용암을 분출하되 용암의 분출과 약한 폭발이 비교적 규칙적으로 번갈아 일어나서 두꺼운 용암의 피각이 생기기 전에 약한 폭발을 하는 상 (예 : 지중해의 리파이섬의 스트롬볼리화산.)
③ 발칸상(Vulcanian phase)
용암의
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인스카치테입, 그리고 SiO2 웨이퍼를준비한다. 준비한플레이크를스카치테입에올린후수차례접었다폈다를반복을한다. 이과정이끝난후테입을 SiO2 웨이퍼에올린후플레이크자국이남아있는부분을문질러준후 테입을제거하게되면 (그림 3) 과 같
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