현대과학으로의 여행 물리 과제6

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목차

1. P형 N형 반도체
2. PN접합
3. 모스펫 원리

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현대과학으로의 여행 물리 과제6

목차
1. P형 N형 반도체
2. PN접합
3. 모스펫 원리




1. P형 N형 반도체

P형 반도체와 N형 반도체는 반도체 물질의 전기적 특성을 조절하기 위해 주입된 불순물의 종류에 따라 구분된다. 일반적으로 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge) 같은 반도체 재료는 본래 전자가 부족하거나 여분이 많은 상태에서 특성을 갖는다. 이러한 반도체는 에너지 밴드 구조에 의해 전기 캐리어의 수가 결정된다. 반도체의 도핑 과정은 특정한 전기적 성질을 가진 전하 캐리어를 추가하여 반도체의 전도도를 향상시키는 데 중요한 역할을 한다. P형 반도체는 양전하를 가진 정공(hole)이 주요 전하 캐리어로 작용하는 반도체이다. P형 반도체를 형성하기 위해 특정 원소, 보통 3가 원소인 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 등을 실리콘에 도핑한다. 이런 3가 원소들은 반도체 격자 내에 자리 잡을 때, 실리콘의 4개의 원자와 결합하는 데 필요한 전자가 하나 부족하

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