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반도체 전자 공학 - 이정한
반도체 (공정 및 측정) - 전자자료사 편집부
박막 프로세스의 기초 - 금원찬 외 공저
박막공학의 기초 - 최시영 외 공저
재료과학 - Barrett 외 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 방법
4. 실험 이론
5. 참
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두께가 눈에 보이지 않는 μm, Å 단위라는 것이 신기했다.
이번 실험을 하기 전까지는 반도체의 제조공정에 대해 잘 알지 못했었는데, 실험을 하면서 매우 많은 것을 알게 되었다. 그리고 우리 생활 속에서 많이 쓰이는 제품들에 들어있는 반
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실험제목
2. 실험목적
3. 실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma) 란?
(2) Lithography 란?
(3) 반도체 제조 공정과 정의
(4) 식각(etching)의 종류와 정의
(5) M R A M (Magnetic Random Access Memory)
(6) 화학공학전공자가 반도체 산업에
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tor
반도체 공정개론 / 교보문고 / 이살렬 외 2명 공역
반도체 공정기술 / 생능 / 황호정 저
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정 / 정항근 외 2명 진공증착의 기본 개념
박막두께
Thermal evaporator 의 용도
Thermal evaporator 의 작동원리
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실험실 http://imal.cnu.ac.kr
-서울대학교 컴퓨터 전자공학부 nml.snu.ac.kr
-목원대학교 전자공학과 홈페이지
-<박막 프로세스의 기초> ,김원찬 저 ,피어슨에듀코리아, 2000년 1.박막공정
1.1. 박막공정의 정의
1.2. 박막공정의 과정
2. 세척
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기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음극 스퍼터링의 몇 가지 특수한 장치
③ 저압 음극 스퍼터링
④ 이온 프레이팅과 이온빔을 이용한 방법
5) 막의 두께 측정방법
6) 향후의 전망
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다.
<그림 1-20.1 PLD 기본원리>
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
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반도체의 격자상수에 따른 에너지 밴드갭
<그림6-4> GaN기판 성장 과정
<그림6-5> Porous GaN layer
<그림6-6> Void in Porous GaN layer
<그림6-7> HVPE법으로 온도에 따라 성장된 GaN층의 두께
<그림6-8> HCl유량에 따른 PL peak 과 FWHM의 길이(성장온도 : 1050˚c)
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공급
- 태양광으로 발전하여 전기를 사용하고도 남는 경우에는 전력 계통에 전송 ※ 실험이론
1. 신재생에너지
2. 태양광 발전
3. 태양열 VS 태양광
4. 태양광의 특징
5. 구성
6. 태양광 발전 원리
7. 태양전지
8. 태양발전의 종류
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반도체 공정
반도체 제조 및 설계/재료과학 17장
네킹
결함
고체결함
재료과학4장 결정결함과 비정질 결함 5장 확산
SI슬라이스
성분평가
X선결정학및실험
X선결정학 3,4장회절
코팅
박막증착
박막제조공정
박막제조공정/6장 스퍼터링7장CVD
7.
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