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측정함으로써 이루어진다. GMR 자기메모리 소자는 미국의 Honeywell 과 Motorolar 회사를 중심으로 연구가 되어왔는데, 최근에는 IBM사에서 TMR(투과자기저항) 현상을 이용한 자기메모리 소자를 집중적으로 개발하고 있다. TMR 소자는 GMR 소자에 비해
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2. RAM(Random Access Memory)
3. ROM(Read Only Memory)
4. ROM BIOS
◈ 보조 기억 장치란?
◈ 보조 기억 장치의 종류
◈ 플로피 디스크 드라이브(Flopy Disk Drive)
◈ 하드 디스크(HDD:Hard Disk Drive)
◈ 광학 저장 장치(ODD:Optical Disk Drive)
◈ 캐쉬메모리란?
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자기메모리 오작동 문제 해결
사이언스타임즈
뉴턴코리아
서울대 공과대학 홈페이지 I. 서론
II. 본론
1. 마미크로프로세서의 기능
2. 마이크로프로세서의 발전 과정 : 인텔을 중심으로
(1) 4비트에서 8비트까지
(2) 16비트에서 32비트
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자기 모멘트가 0인 온도가 있다. 이 보상점 온도는 가넷과 희토-천이금속 합금에 쉽게 관측된다. 게다가 페리자성은 각운동량 보상점을 보일수 있다. 이 점에서 자기 하부격자의 각운동량은 보상된다. 이 보상점은 자기메모리 소자내의 고속
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자기메모리와 차세대 정보저장 영역으로 각광받고 있는 것이 있다. 바로 나노의 세계이다. NT(Nano Technology)로 표현되는 이것이 차세대의 반도체를 능가하는 대체재로 부상하고 있다. 반도체는 전기량의 변화를 통해서 제어하는 반면 나노 자성
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