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실험처럼 접지를 할 수 없는 경우입니다.
이미터공통증폭기의 경우 콜렉터와 전압에 걸린 양단전압을 측정해야 한다. 그런데 보통 계측기(오실로스코프, power supplely, signal generator...)등은 서로 접지되어 있다. 따라서 일반 접지형 오실로스코
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실험은 아니었고 1학기 때 배웠던 에미터 플로워의 복습 및 실습이라 생각하고 실험에 임했다. 실험에서는 2N2102를 사용하라고 했는데 기자재 부족으로 C2120을 사용하여 실험을 하였다. 이론에서 배운적이 없던 전력이득을 구하는 실험이었는
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다. 다음으로는 베이스 전류가 30uA가 되도록 조절을 하였는데 이것은 2050, 2950옴이 되었다. 마지막으로 40uA이 될 때의 저항은 1832, 3168옴이었다. 다음의 표를 통하여 를 구할 수 있다.
(uA)
(mA)
(uA)
(mA)
30
4.808
10
1.65
40
6.458
2) 에미터 공통 증폭기 바
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에미터 공통 증폭기회로 전류이득 실험에서는 에미터 공통 증폭기의 기본적인 성질인 를 구하는 것에 대한 실험이었는데 의 식을 통하여 구하는 것이었다. 여기서는 베이스 전류의 변화량 분에 콜렉터 전류의 변화량이 베타인데 이것을 베이
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실험 기구 및 장치
4. 실험 방법
1) R-L 회로
2) R-C 회로
3) R-L-C 회로
Ⅲ. 임피던스와 직류회로
Ⅳ. 임피던스와 회로측정
1. 목적
2. 원리
Ⅴ. 임피던스와 에미터공통증폭기
1. 입력 임피던스
2. 출력 임피던스
3. 전력이득
참고문헌
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증폭기를 구성함에 있어서도 이러한 점을 고려하여 설계를 해야지 원하는 결과값에 최대한 가깝게 구현이 될 것이라는 것을 알 수 있었다.
다음으로는 공통 에미터 증폭기를 설계하는데 여기서는 에미터 저항이 있는 공통 에미터 증폭기와
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이득
(2) CB 소신호 이득
▣ 참고문헌
①전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명
②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회
③전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명
④전자회로공학, 교우사, 최성재 외2명
http://en.wikipedia.org/wiki/BJT
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3P
3. 부품 및 기기 …………………………… 3P
4. 실험순서 ……………………………… 3~5P
5. 실험과정 ………………………………… 5P
6. 회로도 …………………………………… 5P
7. 소감 및 고찰 …………………………… 6P
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폭기
공통 게이트 증폭기는 공통 베이스 증폭기(BJT)와 유사
낮은 입력저항 Rin(source) = 1/gm
전압이득은 공통소스증폭기와 동일(Av = gmRd)
FET(Fileld-Effect Transistor)이 고입력 임피던스를 갖는 이유
간단히 말씀 드리면 FET의 물리적 구조 때문입니
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실험 데이터를 실행데이터와 비교하라. 두 데이터 간의 차이가 있는 경우 그 차이를 설명하라.
출처
Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, “기초 전자회로 실험“, 인터비젼
http://asic.postech.ac.kr/3.Class/1.Classes/04_332/exp12.pdf
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=1
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