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회로의 공진주파수의 온도보상용으로도 이용된다. 유전율의 온도계수가 음인 산화티탄 자기에 유전율의 온도계수가 양인 MgO, Sio2, Al2O3 등을 첨가하여 온도에 의한 유전율의변화를 개선할 수 있다. 산화티탄 자기에 M <3>
1. 저항재료로서
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압을 재야한다는 점에서는 불편함이 있을 수 있지만 실험실에 구비된 오실로스코프를 이용하면 비록 그 크기는 작더라도 측정하는데 어려움이 없을 것으로 보인다.
회로구성
3)
* PSPICE 결과
(=5)
(=10)
(=15)
(=20)
4) 가 매우 작은 값이므로 무시한
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압과 측정된 전압이 달라서 인데 실제로 걸어준 전압이 회로를 지나며 회로 자체의 저항에 의해 조금 바뀔 수 있기 때문이다. 실제 실험값에서는 큰 저항 값으로 실험할수록 측정전압이 셀제 걸어준 전압으로 근접했다.
두 번째 실험은 저항
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압을 측정하고, 온도를 직접 표시하기 위한 장치들에 배치된다. 측정장치의 정밀도는 PT100 탐침의 정밀도, 일정전류원의 정밀도와 안정성, 전압 측정 회로의 정밀도, 측정치와 관련되는 구성 회로 또는 소프트웨어의 정밀도, 전류에 의한 PT100
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압(dynamic pressure) 및 정압
(static pressure)이 전환된다.
※소수력발전은 하천이나 저수지의 물을 낙차에 의한 위치에너지를 이용하여 수차의 회전력을 발생시키고, 수차와 직결되어 있는 발전기에 의해서 전기에너지를 생산하는 방식으로 설비
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COUPLING CAPACITANCE와 겸용으로 1상에만 설치
한다
○ 2차전압은 재폐로 계전기의 동기검정용으로 사용
3) 66kV 모선PT 회로
○ 66kV 송전선 보호방식이 154kV 송전선 보호방식과 유사한 경우에는 66kV 모선PT
회로 결선 방식은 154kV 모선PT회로 결선 방식
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회로보다 훨씬 작은 이유는?
JFET 공통 드레인 증폭기 회로와 트랜지스터의 공통 콜렉터 증폭기 회로의 전압이득은 다음과 같이 동일하다. 이와 같이 같은 식인데 전압이득의 차이가 나는 이유는 값의 차이에서 기인한다. JFET의 값은 매우 작기
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회로를 입력하라. V1 은 VSIN 을 이용하라.
- Orcad 프로그램을 이용하여 그린다.
(11) V1은 100mV, 1000 Hz 의 정현파가 되도록 하라. Time Domain Analysis를 수행하라. 시뮬레이션 결과로부터 입력전압 V1 과 741 의 출력전압을 도시하라. 전압이득을 구하고,
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회로 특별한 문제없이 호흡하시나 간헐적으로 가래가 섞이지 않은 기침을 함
생식계
병변, 분비물, 월경량, 월경통
생식계에 병변이나 분비물이 관찰되지 않음
항문
변, 압통
2~3일에 한번정도 소량의 묽은 변을 봄
사지
부종, 궤양
다리와 발
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회로와 벡터도
유도전동기 회로는 등가변압기 회로로 고칠 수 있으며 부하에 저항을 연결한 것과 같은 회로가 되며, 2차측을 1차측으로 환산하여 나타낸 것이며 유도전동기가 운전 상태에 있을 때 전압, 전류, 자속의 관계를 벡터도로 표시한
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