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실험내용
4. 실험절차
5. 실험이론
(1) 플라즈마 (Plasma) 란?
(2) Lithography 란?
(3) 반도체 제조 공정과 정의
(4) 식각(etching)의 종류와 정의
(5) M R A M (Magnetic Random Access Memory)
(6) 화학공학전공자가 반도체 산업에서 필요한 이유
6. 참고자료
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식각)
Selectivity(선택비) 높음
Lattice damage 경미
반응매개체
Dry etch-plasma (physical + chemical = mainly chemical
Wet etch-chemical solution
플라즈마를 이용하면 반응 챔버 내부에 다량의 중성 라디칼과 이온을 만들어낼 수 있다. 이때 중성 라디
칼은
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식각 속도가 더 빨라져야하나 오히려 줄어들었다. 전압을 증가시키면 RF Power가 증가하고, 양이온들이 더 큰 에너지를 가지게 되어 플라즈마 밀도가 증가하고, 충돌하는 입자 수가 증가하여 식각속도가 증가한다. 하지만 실험결과는 오히려 2
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식각 특성이 향상되는 결과를 얻을 수 있다고 할 수 있다.
5. 참고문헌
[1] Tae Young Lee, Etch characteristics of magnetic tunneling junction stack for developing magnetic random access memory, 2013, pp21-25.
[2] Geun-Young Yeom, Etching of COFeB usig CO/NH3 in an Inductively Coupled Plasma etchi
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플라즈마 디스플레이의 기술과 현황 / 강정원 회 / 반도체및디스플레이학회지 제3권 제4호
-플라즈마 디스플레이 패널의 구동방식 및 구동회로 / 권오경 / 전기전자재료학회지 제 13권 제8호
-플라즈마 디스플레이의 기본 구조 및 동작원리 / 황
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식각 손상문제 및 polymer에 의한 오염문제가 부각되면서 반응로 구조의 개선을 통한 성능개선의 한계점에 도달하게 되었다. 이로 인해 차세대 반도체 제조용 건식식각 및 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)장비개발을 위한 다양한 플라즈마
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하여 웨이퍼 표면의 박막에 가스나 혹은 산과 알칼리 같은 화학 물질을 통해 필요 없는 부분을 제거하고 미세한 회로 패턴을 형성 시켜 주기 위해 가공하는 단계의 공정 1.Etching의 정의
2.Etching의 종류
3.플라즈마의 정의
4.Plasma Etching
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플라즈마 강화 사이클릭 증착 방법, 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 2009
신혜라, 박막 트랜지스터의 제조방법 및 상기 방법에 이용되는 식각액 조성물, 동우 화인켐 주식회사, 2008
신수범, 포토리소그래피와 나노임프린트 리소그래피를 결합한
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플라즈마 내의 이온 충격이나 라디칼에
의한 손상 및 오염의 문제가 있다.
4. 선택도가 습식식각에 비해 떨어진다.
플라즈마는 열 플라즈마(thermal plasma)와 저온 플라즈마(cold plasma)로 구분되는데 열 플라즈마의 경우는 핵융합과 같은 특수 목
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플라즈마 식각, 반응이온 식각(reactive ion etching: RIE)이나 반응 스퍼터(reactive sputter) 식각, 반응이온빔 밀링, 전자나 광자 유발(electron or photon assisted) 화학적 건식 식각 등이 여기에 속한다. 또한 최근에는 반응기 내의 플라즈마 밀도를 증가시키
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