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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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OXIDATION(산화공정) 프린트
* 신소재기초실험 Ⅰ(Text Book) , 국민대학교 공과대학 신소 재공학부, P. 21~ P. 33 제목 : 산화 공정 (Oxidation)
목적
이론 : 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
- Furnace system
-실험방법
-실험결
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공정기술』,2006 1. 실험목적
2. 이론배경
- 산화막(Oxide Film)
- 산화막의 용도(Uses of Oxide Film)
●확산공정
●표면 안정화
●소자보호와 격리
●게이트 산화물 유전체
-딜-그로브의 열 산화 모델(Deal-Grove model)
3. 실험방법
4. 실험결
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산화공정
▶ 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다
▶산화공정은 습식산화와 건식산화가 있
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공정을 통해 제거한다. 해당 공정을 그림으로 나타내면 다음과 같다.
5. 고도산화공정의 종류를 말하고 펜톤 산화에 대해 설명하라.10)
‘고도산화공정(Advanced Oxidation Processes, AOP)’란 수산화라디칼 등의 자유라디칼을 이용해 산화반응을 진행
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150PPM에서 15PPM으로 90% 이상 제거 효율을 보인다.
그림.2 실증 시설물 전경(구미1공장) 1. 고도산화공정의 특징
2. 오존의 특징 및 발생원리
3. 오존 / 과산화수소 (Peroxone AOP) 원리 및 처리효과
4. 오존 / 과산화수소 (Peroxone AOP) 적용사례
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산화막으로 유입된다.
세심한 주의를 기울여도 불순물의 유입을 완전히 차단시키기는 어려운것이며, 산화중에 불순물 유입공정을 동시에 수행하면 좋은 효과를 볼수 있다. 다음 그림은 HCl분위기에서 산화시킬때 HCl의 몰%에 따른 Qm을 나타낸
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제는 대기압 산화에서와 같다.
(4) 산화공정 시스템
웨이퍼 세척 → 산화 → 표면 검사 → 측정 → 마스킹
3) Dry Oxidation과 Wet Oxidation의 차이점
Dry Oxidation : Si + O₂→ SiO₂
Wet Oxidation : Si + H₂O → SiO₂+ 2H₂
Dry Oxidation의 경우 매우 높은 순도의 Oxyg
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말하라.(5점)
4. 소독에 대한 다음에 답하라.(10점)
1) 파과점 염소주입(breakpoint chlorination)에 대해 그림을 그려 설명하라.(5점)
2) 오존소독 시스템을 그림을 그려 말하라.(5점)
5. 펜톤 산화를 포함한 고도산화공정에 대해 설명하라.(5점)
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가. 공정 순서
<1> 웨이터(Water) 제작
<2> 설계 및 공정
<3> TEST 및 Package(조립 및 검사)
나. 공정에 대한 설명
<1> 사진공정(Photolithography)
<2> 화학기상 증착( CVD )
<3> 금속화 공정(MENTALIZATION)
<4> 산화공정(Oxidation)
<5> 확산공정(Diffusion)
<6>
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