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RL 회로
(1) 책의 그림 7과 같은 회로를 구성하라. 이 때 사각파형 발진기의 진동수는 약 2㎑로 맞추 고 출력 전압을 최대로 두라.
(2) 수직 입력 감도 조정 손잡이와 스위프 시간 조정 손잡이와 트리거를 이용하여 오실로 스코프 화면에 책의 그
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RL이 결합되는 경우, 전압이득이 감소하게 됨을 알 수 있다.
3. 공식
베이스 - 콜렉터 전압이득
(1)
(2) (정상적인 회로)
(3) (무부하시)
(4) (바이패스 커패시터가 없는 경우)
트랜지스터의 교류 에미터 저항
(5)
직류해석
(6)
(7)
(8) (βdc가 클 경우,
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회로를 구성한다.
② 그림 10-2 회로에 대한 DC 파라미터들을 계산하고, 측정하여 기록한다.
③ 입력파형과 출력파형을 오실로스코프로 측정한 후 파형을 도시한다.
④ 부하저항 RL의 값을 변화시키면서 Vin과 Vout의 파형을 측정한다.
⑤ R1 open, R2
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회로로써 이용된 RL, RC, RLC 직렬, RLC 병렬회로들을
직접구현해보며 저항에 걸리는 전압값의 주파수와 진폭, 위상을 측정해보는 실험이었다. 실험을 구성하는 회로가
어렵지 않음에도 불구하고, 회로구성에 실패하여 원하는 결과 그래프를 얻
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dc level ≤ 1.96V)는 각각 드레인 전류를 설정에서 PSPICE 시뮬레이션은 MOSFET의 넓이, 길이 그리고 회로의 저항만 설정하였지만 직접 계산하여 설계한 회로는 VDD, I, λN, μNCox, VTH,N, W/L, RS, RL, CGS, CGD, CDB를 직접 설정하였기 때문에 input dc level의 차이
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회로측정
1. 목적
저항, 코일(inductor) 및 콘덴서(capacitor)로 구성된 교류회로에서 저항값 R과 inductance(인덕턴스) L, 커패시턴스(capacitance) C를 각각 측정하고, 직렬 R-L-C 회로의 임피던스(impedance)를 구한다.
2. 원리
직류(DC)회로에서 금속 도체 내의
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DC전원으로 바꾸고 이것을 시뮬레이션 해보았다. 이 설계 하나로 2학기초부터 내내 배워왔던 전자회로 1~3장 내용을 다시 한번 생각해 보는 계기가 되었다.
4.참고 문헌
[1] Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, "Microelectronic Circuits", 한티미디어, p156~205, 2005[
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회로에서의 임피던스에 대해서 알아본다.
실험기구
≪ 사 진 ≫
RLC회로판
Power Amplifier
≪ 사 진 ≫
AC/DC 전자실험장치
≪ 사 진 ≫
실험 이론 및 방법
RL 회로
직류전압이 저항과 인덕터의 직렬회
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회로 방정식을 세울 수 있다.
캐패시터에 흐르는 전류 는
종합하면 RC 충전/방전회로의 저항의 전압,캐패시터의 충전/방전 전압과 전류의 파형을 사펴보면 아래의 그림-6 과 같다
2. RL충전회로의 전류, 전압특성(전류 충전/방전)
충전 시 스위치
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(1) <그림 20.2(a)> RL 직렬 회로 (R=1[k], L=10[mH])를 구성하고 신호 발생기로부터 발생된 정현파 신호 의 진폭을 5[V]로 고정하고, 주파수를 DC부터 증가시키면서 저항 양단에 걸리는 전압 의 크기 및 위상을 측정하라. 실험을 통해 얻은 3dB 주파수
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