|
[7] chap2. 전계효과 트랜지스터(FET) - 디스플레이공학 이준신교수님 강의자료 1. 실험목적 (Purpose)
2. 실험변수 (Variables)
3. 이론배경 (Theories)
4. 실험방법 (method)
5. 실험결과 및 고찰 (result & dicussion)
6. 결론(conclusion)
|
|
|
실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
|
|
|
Capacitor
···········
p. 3
③ E-Beam의 구조와 증착원리
···········
p. 8
4. 실험 방법
···········
p. 9
5. 결과 예측
···········
p. 11
6. 결과 분석
···········
p. 12
① C-V 결과 분석
···········
p. 12
② I-V
|
|
|
I-V 나 C-V 측정으로써 알아볼 수 있고, 이러한 조건으로 소자를 만든다면 전기적으로 우수한 이상적인 MOS Capacitor를 제조할 수 있다. 1. 실험목적-------------------2
2. 관련이론-------------------2
3. 실험방법-------------------3
4. 실험결과--------
|
|
|
절연체 제작 공정 및 유기물 절연체 형성
2-8-1. pentacene 반도체 층 증착
2-8-2. Al source-drain 전극 증착
2-8-3. 표면처리
2-8-4.전기 도금된 Ni의 표면조도
2-8-5.나노입자에 따른mobility 및Current on/off ratio 변화
3. 결 론
4. 참고문헌
|
|
|
분석
2.상태도
3.냉각곡선과 상태도의 관계
4.공정형 상태도
5.공정 합금의 조직 및 구역
6.아공정과 과공정
7.x선 회절
본론
가.실험방법
나.실험결과
1.각 조성별 냉각곡선
2. 상태도
3.XRD 상분석
결론
가.실험에 따른 고찰
나.참고
|
|
|
영향
3. 용도
Ⅶ. 산화와 금속산화막반도체전계효과트랜지스터
1. 구조적 특징
2. 동작 특성
1) Depletion MOS FET
2) Enhancement type
3. Depletion type의 장점
4. Enhancement type의 장점
Ⅷ. 산화와 산화전분
1. 파열강도
2. 수직압축강도
참고문헌
|
|
|
특성
2. 문헌조사
I. 고상법
II. 소결과정의 이해
III. Pervoskite 구조 세라믹의 강유전적 특징
IV. BaTiO3의 size effect
3. 실험방법
4. Data and Result
(1) XRD 결과
(2) 시편의 소결 밀도
(3) 시편의 SEM 분석
(4) 시편의 전기적 특성 분석
5. 결 론
|
|
|
및 자료
Fundamentals of materials science and engineering -William D.Callister, Jr. & David G. Rethwisch
분말재료공학 -강석중외 19명
http://www.substech.com/dokuwiki/doku.php?id=main_page -Substechhttp://blog.daum.net/ehct999/98
http://blog.naver.com/dikkim?Redirect=Log&logNo=50069656697
분말야금의
|
|
|
두께가 maximum 보다 커짐.
Minority carrier가 하나도 없을 때를 total deep depletion Ⅰ. C-V Introduction
Ⅱ. I-V measurement
1. Introduction
2. Metal-Insulator contacts
3. Image-force effect
4. Conduction mechanism
(1) Electrode-limited current
|
|
메뉴펼치기
