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때문에 또 절연층을 사용해서 저항이 커지는 문제도 있기 때문에 응용에 어려움을 겪고 있다. 그래서 비교적 응용이 쉬운 GMR이 많이 연구가 되고 있고 현재의 GMR기술로도 수직자기기록에 충분한 자기 민감도를 가진다고 판단되고 있다.
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47, 178 (1985)]
그림 2. 거대 자기저항(GMR) 현상.
(Baibich et al., PRL 61, 2472 (1988)
그림 3. 광자기 기록기술 개략도
그림 4. GMR 스핀 밸브 헤드 구조
그림 5. 자기 메모리(MRAM) 개략도 1. 서 론
2. 스핀의존 현상
3. 스핀트로닉 기술
4. 향후 전망
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거대 자기 저항(GMR) 헤드의 개발여부다. 이 기술이 완성되면 평방 인치당 50G 제품의 실현이 가능해 업체들의 기대를 모으고 있는 기술이다.
GMR 헤드는 두 개의 자성층을 만들어 전자의 스핀과 자성층의 자화 방향의 차이로 인해 자기 저항의
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자기성을 용도에 적합한 상태로 조정하여 자기장내에서의 약전달, 세포제거 등의 진단 및 치료에 적용하거나 또는, 강자성체 등을 자기센서나 거대자기저항체 등으로 응용
●결정입도와 기공도에 따라 나노결정의 세라믹 재료의 광투과율
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자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM소자에 대한 고찰을 통해 앞으로의 기술발전 전망을 하고자 한다. 1.서론
2.자기를 이용한 초고밀도 기록/저장 기술
2.1 재생 헤드용 거대 자기저항 기술
2.2 자기기록매체 기술
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