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반도체 공정에서 산화실험이 필요한 이유
2. 반도체 공정에서 Si 기반 어느부분에서 산화를 쓰는가??
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공정에서는 매우 중요한 단위공정이다.
그 이유는 화학증착이 높은 반응온도와 복잡한 반응경로 그리고 대부분의 사용기체가 매우 위험한 물질이라는 단점에도 불구하고 고유한 장점들을 가지고 있기 때문이다. 화학증착법의 장점으로
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너
지원으로 열 에너지가 많이 사용되는데 이런 경우를 열(thermal) CVD라고 한다. 또한 열
에너지 이외에 플라즈마나 빛 에너지도 사용되며, 이런 경우는 플라즈마(plasma) CVD 또
는 광(photo) CVD라고 한다.
1. 화학기상증착(CVD) 공정
■ Metallization
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가 두꺼운 것이 요구되면 상당히 긴 시간이 소요된다.
※ Reference
- Introduction to solid state physics,7th edition (Charles Kittle)
- http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/data/ch101.ppt
- http://home.mokwon.ac.kr/
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반도체공학 - 박광순, 여진경 역. 학문사. 1997
[5] http://www.ece.utep.edu/research/webedl/cdte/Fabrication/index.htm
[6] http://lsm.rutgers.edu/facilities_ALD.shtml
[7] chap2. 전계효과 트랜지스터(FET) - 디스플레이공학 이준신교수님 강의자료 1. 실험목적 (Purpose)
2.
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반도체 공정에서 가장 중요한 것은 클린룸 내 particle 제어와 시편에 붙어있는 불순물 제거인데 이번 실험에서 불순물 제어를 용이하게 하지 못해 몇 개의 시편에서는 <그림 2>와 같은 결과를 얻게 되는데 이는 공정이 진행됨에 따라 결함
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실험은 반도체 제조공정에 대한 전반적인 이해를 위한 실험으로 우리는 이번에 그 제조공정의 일부만을 선택하여 실험하였다. 우리가 한 실험은 세정→ 증착→ PR도포→ Pre bake→ 노광→ 현상 →Rinse→ Post bake→ Etching 과정을 하였다.
증착과
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이후로는 Etching이 더 이상 진행하지 않을것이라고 예상한다.
6. 참고문헌
반도체 공정실험 Dry Etching 수업자료 PDF
화학용어사전 - 화학용어사전 편찬회, 윤창주, 2011. 1. 15, 일진사
반도체 공정플라즈마의 현황과 전망 한국물리학회 , 장홍영
바
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1. 실험 목적
2. 실험 방법
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정)
3) ICP 장비의 반응 Chamber에 시료를
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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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