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재료전자기학 - 이후정교수님 강의안 1. 실험 목적
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2. 실험 배경
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3. 실험 이론
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① Si의 특성
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② MOS Capacitor
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③ E-Beam의 구조와
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capacitor로서 역할을 하지 못한다는 것을 알 수 있다.
이 실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4.
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실험 전 얻으려던 실험목적을 완벽히 얻을 수 있었기에 많은 개선 사항은 없지만, 이론을 완벽히 이해하고 실험에 참여하여 반감기 를 직접 실험을 통해 계산할 수 있다면 완벽한 실험 이 될 것 같다.
* 참고 문헌
-임헌찬 외, 전기전자기초실
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MOS capacitor의 Oxide층과 전류의 주파수를 변수로 하여 가해준 V에 따른 Capacitance, 누설전류값을 측정하고 분석하는 실험을 진행하였다. 우리조는 두께가 두꺼워질수록 Capacitance와 누설전류값이 모두 감소할 것이라고 예상했다. 예상대로 Capacitanc
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그 각도가 정면을 향하는 경우 중력으로 포획되는 대신 핵을 선회 후 속도가 줄지 않고 시료 밖으로 다시 튀어나가는 전자를 후방 산란 전자(BSE) 라한다. 검출기가 전자의 이동 경로 상에 위치하며 모든 원소는 원자핵의 크기가 다르며, 커질
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그대로 유지된다. 이 과정에서 이므로 시정수 τ=RC값이 작으면 빨리 목표치에 도달할 것이라는 생각이 들었다. 1.실험제목
2.실험날짜
3.이론적 고찰
4.실험기구 및 재료
5.실험순서 및 방법
6.실험결과 및 결과분석
7.고찰
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전자제품과 자동차ㆍ인공위성 등에도 사용하고 스마트폰 한 대에만 500여개가 쓰인다. 우리나라에서는 계속 초고용량 신제품을 선도하면서 세계 2위권의 강국이다.
(MLCC 다결정)
(MLCC 내부) 1. 실험목적
2. 실험원리
3. 실험기구 및 재료
4.
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재료에 대해 조사한다.
5.토의
이번실험은 졸-겔법을 이용하여 ZnO용액을 제조하고 Spin coating법을 사용하여 발광 박막의 제조를 통하여 박막재료 제조공절 및 졸-겔법 이해를 돕는 것이다. 실험 후 glass substrate의 표면을 보면 대체로 균일하게
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전자 (Hongsik jeong) 자료
(2) 인터넷 과학신문 사이언스 타임즈
(3) 서울대 반도체 특강 자료 (삼성전자)
(4) 이화여자 대학교 전자공학과 PRAM PPT 자료
(5) 고광석 (상변화 기술분석)
(6) 상변화 메모리 소자설계용 요소기술 개발에 관한 연구 ( 과학
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실험을 용이하게 할 수 있다.
3. 사용기기 및 재료
① 오실로스코프 1EA
② 신호 발생기 2EA
③ Capacitor 104 2EA
④ Resistor 1k 2EA 1.실험제목
2.실험목적
1) 신호발생기의 특징과 조절방법을 습득한다.
2) 신호발생기의 다양한 파형을 오실로스
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