|
최대 역방향 전압(VRPM)
(2) 순방향 평균 전류(IO)
(3) 순방향 전력 손실(PD(MAX))
2. TR(트랜지스터)
3. FET
(1) FET 구조와 동작
[1] FET의 종류
[2] 접합형 FET에 흐르는 전류
[3] 절연 게이트형(MOS형) FET에 흐른 전류
[4] 감소형과 증가형
|
- 페이지 11페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2010.11.23
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
실험 결과 및 고찰···················37
5.1 Bias Aging에 따른 MIM 특성 분석··········37
5.2 Bias Aging에 따른 유기 박막 트랜지스터
소자 특성 분석···························38
제6장 결론············
|
- 페이지 53페이지
- 가격 3,000원
- 등록일 2011.10.14
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
같이 공핍층은 소멸되어 통전 상태로 되어 전류 I가 흐른다.
③ 용도 : 조광 자치, 모터 제어, 전차의 전력 제어 * 다이오드
* TR (트랜지스터)
* FET (전계 효과 트랜지스터)
* IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
* SCR (실리콘 제어정류기)
|
- 페이지 20페이지
- 가격 2,000원
- 등록일 2011.01.04
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
Emitter보다 농도가 작게 도핑 되어 실제 시판 되고 있다.
BJT 구조에서 Emitter와 Collector는 같은 물질의 반도체로 구성되어 있으나 그 부피나 농도는 다르게 제작 되어진다.
3. 시뮬레이션 결과 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 시뮬레이션 결과
|
- 페이지 9페이지
- 가격 1,200원
- 등록일 2008.12.11
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 없음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|
|
외1, 2008, Prentice Hall
-전기전자기초실험, 신정록 외 공저, 한올출판사
-Logic and Computer Design Fundamentals 3rd 1. Title
2. Name
3. Abstract
4. Background
(1) Shift register
(2) Divider
5. Simulation
6.Experimental Results
7. Analysis
8.Conclusion
9. Reference
|
- 페이지 22페이지
- 가격 3,000원
- 등록일 2008.11.27
- 파일종류 한글(hwp)
- 참고문헌 있음
- 최근 2주 판매 이력 없음
|