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산화막으로 많은 연구가 수행되고 있다.
3. REFERENCE
http://optics.hanyang.ac.kr/~shsong/hitechphysics-note/plasma/17.htm
http://www.postech.ac.kr/ce/lamp/
http://mse.hanyang.ac.kr/ulsi/
http://www.law.hanyang.ac.kr/~hjeon/members.htm 1. 반도체 공정에서 산화실험이 필요한 이유
2.
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반도체라 하고 3가 원소를 첨가하면 반대로 전자가 부족하게 되어 정공이 생기는데 이를 P형 반도체라고 한다.
≪ 그 림 ≫
2. 산화공정
▶ 산화공정은 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기를 주입
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1. 실험 목적
2. 이론적 배경
3. 실험 과정
4. 실험 결과
5. 고찰 및 창의 설계
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실험 1 : Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 첫 번째 공정에 해당하는 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한다. 산화 온도를 고정하고 산화 시간을 조정 하였을 때 Oxide 층의 두께 변화에 어떤 영향을 주는지
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반도체공학 - 박광순, 여진경 역. 학문사. 1997
[5] http://www.ece.utep.edu/research/webedl/cdte/Fabrication/index.htm
[6] http://lsm.rutgers.edu/facilities_ALD.shtml
[7] chap2. 전계효과 트랜지스터(FET) - 디스플레이공학 이준신교수님 강의자료 1. 실험목적 (Purpose)
2.
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가 두꺼운 것이 요구되면 상당히 긴 시간이 소요된다.
※ Reference
- Introduction to solid state physics,7th edition (Charles Kittle)
- http://smdl.snu.ac.kr/Lecture/semi_process/data/ch101.ppt
- http://home.mokwon.ac.kr/
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반도체소자 에 대해 실험하여 전공에 대한 관심도 더욱 커졌다.
-참고문헌 : * 신소재기초실험 OXIDATION(산화공정) 프린트
* 신소재기초실험 Ⅰ(Text Book) , 국민대학교 공과대학 신소 재공학부, P. 21~ P. 33 제목 : 산화 공정 (Oxidation)
목적
이론
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반도체 전자 공학 - 이정한
반도체 (공정 및 측정) - 전자자료사 편집부
박막 프로세스의 기초 - 금원찬 외 공저
박막공학의 기초 - 최시영 외 공저
재료과학 - Barrett 외 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 방법
4. 실험 이론
5. 참
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공정을 말한다.
☞ 반도체공정중 매우 중요한 공정의 하나이며 특히 진동에 매우 민감하다.
▣ 제9단계 : 현상공정 (Develop & Bake)
일반 사진 현상과 동일하다. 현상액을 웨이퍼에 뿌리면 웨이퍼는 노광과정에서 빛을 받은 부분과 받지 않는 부
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반도체 공정기술’, 생능출판사, 1999
[5] 윤현민, 이형기, '반도체 공학', 복두출판사, 1995
[6] 이종덕, '실리콘집적회로 공정기술', 대영사, 1997
[7] 신현국, 'CVD/ALD 재료 기술 동향', (주)유피 케미컬, 2005
[8] 김상훈, ‘Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositio
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