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토리소그래피 과정에서 자주 행하는 공정인데, 크게 PR코팅 후의 소프트 베이킹, 노광 후의 post exposure baking, 현상 후의 하드 베이킹이 있다.
3.결론
지금까지 살펴본 포토리소그래피는 기계부품과 전자부품의 케미칼 에칭가공, 프린트기판 제
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문제로 사용하는데 한계가 있다.
따라서 이와 더불어 더욱 정교하고 미세하게 마스크에 패턴을 만드는 기술의 개발 또한 진행되고 있다. 1. 서론
2. 본론
1) Photoresist coat(PR코팅)
2) Soft Bake
3) Photo exposure
4)Develop
5)Hard bake
3.결론
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포토레지스트 및 배향막 등 디스플레이용 화학재료 사업을 올해부터 크게 강화할 예정이다. ▪ Photolithography의 정의
▪ Photolithography의 세부 공정 및 재료
TFT 부분
COLOR FILTER 부분
▪ Photolithography의 현 사용현황 및 기업
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시킬 수 있고, 더불어 반응성이온식각공정 중 발생하는 패턴의 선폭 변형을 줄일 수 있다.
도면
효과
포토리소그래피기술과 나노임프린트리소그래피 기술을 조합하여 리소그래피 공정을 진행하므로써 잔류층이 없는 미세 선폭의 포토레지스
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itive PR
negative
Positive
접착도
좋음
나쁨
분해능
어려움
좋음
막의 두께
4000~17000Å
20000Å
산소와의 반응
반응함
반응하지 않음
노출 관용도
관용도 크다
관용도 적다
j) Development
ⓐ negative PR
- 현상액 : 자일린, 스토다드 용제(stoddar’s solvent),혼합
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결국에는 PR Pattern만 남게 되는 것이다. *포토 리소그래피 (Photo Lithography)
*포토 레지스트 (Photo Resist)
*마스크 어라이너 (Mask Aligner)
*코팅 (Coating)
*노광 (Exposure)
*현상 (Development)
*스퍼터링(Sputtering)
*리프트 오프(Lift-off)
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전체적인 흐름이 어느 정도 눈에 들어오는듯 합니다. 빨리 다음 실험을 통해서 반도체 공정에 대해서 더 자세히 알고 싶습니다. 1.실험제목 : Photolithography
2.실험목적
3.실험이론
4.실험방법
5.실험 결과 및 고찰
실험을 마치며...
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포토리소그래피공정
포토레지스트(photoresist) 패턴을 마스크로 하여 포토레지스트로 덮여 있지 않은 부분을 선택적으로 제거 1. 기술소개
-이방성
-등방성
1.2 습식 에칭 장치에 요구되는 성능과 문제점
2. 화학과의 연계성
2.
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포토리소그래피
포토레지스트
포토레지스트용 신나
현상액
린스액
레지스트박리제
기판표면개질제
감광성폴리머를 yd제에 녹인액
크실렌, 지방족계탄화수소
(네가티브용)지방족계탄화수소
(포지티브용)유기아민계혼합액, 규산소다, 인산소
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포토리소그래피 등등이 있다.
3개의 주요 형광체는 격벽과 유전층 사이에 형성된 골짜기에 형성시킨다. 인쇄, 코팅 및 포토리소그래피 또는 전기 영동(electrophoretic) 증착이 형광체를 형성시키는데 주로 사용된다.
진공 시스템과 연결하기 위해
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